[发明专利]一种二维互补型存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110248345.9 | 申请日： | 2021-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN113517285B | 公开（公告）日： | 2023-01-06 |
| 发明（设计）人： | 王天宇;孟佳琳;何振宇;陈琳;孙清清;张卫 | 申请（专利权）人： | 复旦大学 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L21/82 |
| 代理公司： | 上海正旦专利代理有限公司 31200 | 代理人： | 陆飞;陆尤 |
| 地址： | 200433 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 二维 互补 存储器 及其 制备 方法 | ||
1.一种二维互补型存储器，其特征在于，包括：
衬底；
形成于所述衬底上的底电极阵列，包括多条沿第一方向延伸，沿第二方向排列的线状底电极；
第一BN二维材料层，形成在所述底电极阵列上；
石墨烯二维材料层，形成在所述第一BN二维材料层上；
第二BN二维材料层，形成在所述石墨烯二维材料层上；
顶电极阵列，包括多条沿第二方向延伸，沿第一方向排列的线状顶电极，
其中，所述第一方向与所述第二方向垂直；
所述线状底电极、所述线状顶电极的材料为Ag或Cu，宽度为2μm~50μm，厚度为20nm~100nm；
所述第一BN二维材料层的厚度为5nm~50nm；
所述石墨烯二维材料层的厚度为10nm~50nm；
所述第二BN二维材料层的厚度为5nm~50nm。
2.一种二维互补型存储器制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供衬底；
在所述衬底上形成底电极阵列，所述底电极阵列包括多条沿第一方向延伸，沿第二方向排列的线状底电极；
将第一BN二维材料层转移至所述底电极阵列上；
将石墨烯二维材料层转移至所述第一BN二维材料层上；
将第二BN二维材料层转移至所述石墨烯二维材料层上；
在所述第二BN二维材料层上形成顶电极阵列，所述顶电极阵列包括多条沿第二方向延伸，沿第一方向排列的线状顶电极，
其中，所述第一方向与所述第二方向垂直；
所述线状底电极、所述线状顶电极的材料为Ag或Cu，宽度为2μm~50μm，厚度为 20nm~100nm；
所述第一BN二维材料层的厚度为5nm~50nm；
所述石墨烯二维材料层的厚度为10nm~50nm；
所述第二BN二维材料层的厚度为5nm~50nm。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
