[发明专利]一种神经元电路

权利要求书

1.一种神经元电路，其特征在于：包括兴奋生成电路、整形电路和波形转换电路，

兴奋生成电路，用于接收输入激励信号，通过对输入激励信号的积累和决策，输出连续振荡信号或单个振荡信号；

整形电路，用于接收兴奋生成电路输出的连续振荡信号或单个振荡信号，波形调整后输出波形信号；

波形转换电路，用于接收整形电路输出的波形信号，进行波形转换和信号放大，输出响应信号。

2.根据权利要求1所述的一种神经元电路，其特征在于：所述兴奋生成电路包括第一电阻元件，第一电阻元件一端连接电压输入端、另一端连接第一电容原件的一端；第一电容元件的另一端连接VO2相变电阻器。

3.根据权利要求2所述的一种神经元电路，其特征在于：所述VO2相变电阻器中VO2阻性材料采用三步法工艺进行制备，三步法工艺由反应溅射、快速退火和电诱导晶化依次组成。

4.根据权利要求3所述的一种神经元电路，其特征在于：所述反应溅射工艺采用常规氧化钒反应溅射工艺；所用快速退火工艺在空气气氛下进行，退火时间在1-10分钟，退火温度为350-450℃。

5.根据权利要求3所述的一种神经元电路，其特征在于：所述电诱导晶化工艺具体流程为：在室温环境下，在快速退火后氧化钒二端器件的两端电极施加直流扫描，监控器件电流，直至流过器件的电流产生跳变，即完成电诱导晶化工艺。

6.根据权利要求2所述的一种神经元电路，其特征在于：所述整形电路包括第二电容元件，第二电容元件的一端连接第一电阻元件和VO2相变电阻器、另一端依次连接第三电容元件的一端、第二电阻元件的一端和第四电容元件的一端。

7.根据权利要求6所述的一种神经元电路，其特征在于：所述第二电容元件和第一电容元件的电容值相等。

8.根据权利要求6所述的一种神经元电路，其特征在于：所述波形转换电路包括第四电容元件，第四电容元件另一端连接NPN三极管的基极和第三电阻元件一端、NPN三极管的集电连极接第四电阻元件的一端、第四电阻元件另一端连接第三电阻元件另一端，集电极连接第五电容元件的一端，第五电容元件另一端连接经元电路输出端；NPN三极管的发射极连接第六电阻元件。