[发明专利]一种有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路及其驱动方法有效

专利信息
申请号: 202110248873.4 申请日: 2021-03-08
公开(公告)号: CN112767882B 公开(公告)日: 2022-02-08
发明(设计)人: 黄晓东;李鼎;张超;王明阳 申请(专利权)人: 东南大学
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225;G09G3/3233;G09G3/3258
代理公司: 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 代理人: 沈廉
地址: 211189 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 有源 矩阵 有机 发光二极管 像素 补偿 电路 及其 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路,其特征在于,该有源矩阵有机发光二级管像素补偿电路包括第一开关晶体管(T1)、第二开关晶体管(T2)、第三开关晶体管(T3)、驱动管(T4)、存储电容器(Cst)、有机发光二极管(OLED)、重置控制线(Vset)、发光控制线(Vem)、扫描控制线(Vscan)、基准/数据复用线(Vref/Vdata);其中,所述第一开关晶体管(T1)的漏极连接电源线(Vdd),栅极接重置控制线(Vset),源极连接驱动管(T4)的漏级;所述第二开关晶体管(T2)的漏级连接电源线(Vdd),栅极连接发光控制线(Vem),源级连接有机发光二极管(OLED)的阳极;所述第三开关晶体管(T3)的漏级连接驱动管(T4)的漏级和有机发光二极管(OLED)的阴极,栅极连接扫描控制线(Vscan),源级连接驱动管(T4)的顶栅和存储电容器(Cst)的B端;所述驱动管(T4)的漏极连接有机发光二极管(OLED)的阴极和第一开关晶体管(T1)的源级,底栅连接基准/数据复用线(Vref/Vdata)和存储电容器(Cst)的A端,顶栅连接存储电容器(Cst)的B端,源级连接地线(Vss);

所述驱动管(T4)为N型的双栅薄膜晶体管,其底栅用于驱动有机发光二极管(OLED),顶栅用于调控晶体管阈值电压。

2.根据权利要求1所述的有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路,其特征在于,所述驱动管(T4)的顶栅对于晶体管阈值电压的调控系数记作k,则有

其中,ΔVtg表示施加在所述驱动管(T4)顶栅上的电压变化量,ΔVth表示由ΔVtg引起的驱动管(T4)的阈值电压变化量;所述调控系数k近似于驱动管(T4)的顶栅介质层电容和底栅介质层电容之比。

3.根据权利要求2所述的有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路,其特征在于,所述驱动管(T4)的阈值电压Vth如式(2)所示:

Vth=Vth0+kVtg (2)

其中,Vth0为所述驱动管(T4)顶栅上施加电压为0V时对应的阈值电压,Vth为所述驱动管顶栅上施加电压为Vtg时对应的阈值电压。

4.根据权利要求2所述的有源矩阵有机发光二极管像素补偿电路,其特征在于,所述基准/数据复用线(Vref/Vdata),在重置阶段和发光阶段时,为基准信号Ref=0V;在补偿阶段时,该基准/数据复用线(Vref/Vdata)为数据信号(Data)。

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