[发明专利]一种集成半导体器件

权利要求书

1.一种集成半导体器件，其特征在于，其至少包括：

衬底，其包括并排设置的多个类型不同的阱区，且每个所述阱区上包括一个或多个有源区；

其中，所述衬底上包括并排依次设置的第一阱区、第二阱区和第三阱区，所述第一阱区和第三阱区为第一类型阱区，所述第二阱区为第二类型阱区，其中，所述第一类型阱区与第二类型阱区的类型不同；

多个半导体元件，形成于所述有源区上；

栅极层，其电性连接于所述半导体元件；

第一金属层，其形成于所述栅极层上；

第二金属层，其形成于所述第一金属层上；

字线层，其形成于所述第二金属层上；

其中，同一所述阱区中相邻所述有源区之间的距离、所述有源区至所述阱区边界之间的距离大于或等于所述有源区的宽度；所述字线层包括写端口字线，所述写端口字线的延伸方向与所述有源区的延伸方向垂直，且由所述第一阱区远离所述第二阱区的一侧，延伸至所述第三阱区远离所述第二阱区的一侧，且所述写端口字线的宽度大于所述有源区的宽度。

2.根据权利要求1所述的一种集成半导体器件，其特征在于，多个有源区并排设置，且所述有源区由所述阱区的一侧延伸至另一侧，所述有源区包括并排设置的第一有源区、第二有源区、第三有源区和第四有源区，所述第一有源区位于所述第一阱区上，所述第二有源区和第三有源区位于所述第二阱区上，所述第四有源区位于所述第三阱区上。

3.根据权利要求1所述的一种集成半导体器件，其特征在于，所述有源区的宽度为0.2-0.4um。

4.根据权利要求2所述的一种集成半导体器件，其特征在于，所述半导体元件包括第一传输晶体管、第一驱动晶体管、第二传输晶体管、第二驱动晶体管、第一负载晶体管和第二负载晶体管，其中所述第一传输晶体管和所述第一驱动晶体管位于第一有源区上，第二传输晶体管和第二驱动晶体管位于第四有源区上，第一负载晶体管位于第二有源区上，第二负载晶体管位于第三有源区上。

5.根据权利要求4所述的一种集成半导体器件，其特征在于，所述栅极层的布线包括第一栅极线，所述第一栅极线连接所述第一驱动晶体管的栅极、所述第一负载晶体管的栅极以及所述第二负载晶体管的漏极，所述第一栅极线的宽度小于所述有源区宽度的二分之一。

6.根据权利要求1所述的一种集成半导体器件，其特征在于，所述第二金属层的布线包括依次并排设置的第一写端口字线、第一接地线、读端口位线、电源接线、互补读端口位线、第二接地线、第二写端口字线，所述第二金属层的布线沿所述有源区的延伸方向并排设置。

7.根据权利要求1所述的一种集成半导体器件，其特征在于，所述写端口字线呈矩形。