[发明专利]一种无比较器的迟滞过温保护电路有效

专利信息
申请号: 202110248942.1 申请日: 2021-03-08
公开(公告)号: CN113014236B 公开(公告)日: 2022-05-17
发明(设计)人: 周泽坤;王祖傲;艾雪;石跃;张波 申请(专利权)人: 电子科技大学
主分类号: H03K17/14 分类号: H03K17/14
代理公司: 成都点睛专利代理事务所(普通合伙) 51232 代理人: 葛启函
地址: 611731 四川省成*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 比较 迟滞 保护 电路
【权利要求书】:

1.一种无比较器的迟滞过温保护电路,其特征在于,包括正温度系数电压产生模块、过温保护核心模块和迟滞模块;

所述正温度系数电压产生模块用于产生与绝对温度成正比的第一控制电压;

所述过温保护核心模块包括第五电阻、第六电阻、第七电阻、第一NPN型三极管、第二PNP型三极管和输出驱动单元;

第二PNP型三极管的基极连接所述第一控制电压,其发射极连接基准电压,其集电极连接第一NPN型三极管的基极并通过第五电阻和第六电阻的串联结构后接地;

第一NPN型三极管的集电极连接所述输出驱动单元的输入端并通过第七电阻后连接电源电压,其发射极接地;

所述输出驱动单元的输出端作为所述迟滞过温保护电路的输出端;

所述迟滞模块包括第一PNP型三极管、第四PNP型三极管、第四电阻和第一NMOS管,且所述迟滞模块与所述过温保护核心模块共用第六电阻;

第一PNP型三极管的基极连接所述第一控制电压,其发射极连接所述基准电压,其集电极连接第一NMOS管的漏极并通过第四电阻后连接第四PNP型三极管的发射极;

第一NMOS管的栅极连接第一NPN型三极管的集电极,其源极接地;

第四PNP型三极管的基极连接第一NPN型三极管的基极,其集电极连接第五电阻和第六电阻的串联点。

2.根据权利要求1所述的无比较器的迟滞过温保护电路,其特征在于,所述正温度系数电压产生模块包括第一电阻、第二电阻、第三电阻和第三PNP型三极管,其中第一电阻作为修调电阻,其阻值可调;

第一电阻和第二电阻串联构成串联结构,所述串联结构的一端连接所述基准电压,另一端连接第一PNP型三极管的基极和第二PNP型三极管的基极并通过第三电阻后连接第三PNP型三极管的发射极;第三PNP型三极管的基极和集电极接地;所述串联结构两端电压为所述与绝对温度成正比的第一控制电压。

3.根据权利要求1或2所述的无比较器的迟滞过温保护电路,其特征在于,所述输出驱动单元包括第一反相器和第二反相器,第一反相器的输入端作为所述输出驱动单元的输入端,其输出端连接第二反相器的输入端;第二反相器的输出端作为所述输出驱动单元的输出端。

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