[发明专利]一种低方阻、超洁净石墨烯透明导电薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种低方阻、超洁净石墨烯透明电极的制备方法，包括以下步骤：

采用化学气相沉积法在金属基底上沉积(2～8)层石墨烯；

对长有石墨烯的基底进行处理，得到处理后长有石墨烯的基底；

将所述处理后长有石墨烯的基底置于刻蚀液中刻蚀，清洗干净后转移至掺杂剂溶液中，再转移至目标基底，烘干，得到石墨烯透明电极；

所述刻蚀液和掺杂剂溶液的表面张力为0.01～1000N/m。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述金属基底选自蒸镀铜基底、压延铜基底、电解铜基底、镍箔基底和铜镍合金基底中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沉积在甲烷、乙烯、PMMA、氩气、氮气、氩气-氧气混合气或氩气-甲烷混合气中进行。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述对长有石墨烯的基底进行处理的方式包括酒精棉球擦除、氧等离子体处理、胶带撕扯、激光刻蚀、刻蚀液清洗、乙醇清洗、去离子水清洗和稀盐酸水溶液处理中的一种或多种。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀液选自过硫酸铵水溶液、三氯化铁水溶液、氯化钾水溶液、盐酸水溶液、乙醇-水的混合物、聚乙二醇-水的混合物和丙酮-水的混合物中的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂剂溶液中的掺杂剂选自硝酸、盐酸、氢氟酸，三氟甲磺酸、氯化铁、氯化金、氯化铷、硝基甲烷、氧化石墨烯、银纳米线、双三氟甲磺酰亚胺及其衍生物、乙二醇、N,N-二甲基亚砜、乙醇和水中的一种或多种。

7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述掺杂剂溶液的浓度为0.001～1mol/L。

8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述烘干的温度为40～140℃，烘干的时间为1min～5h。

9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述多层石墨烯的层数为2～8层。

10.一种低方阻、超洁净石墨烯透明电极，由权利要求1～9任一项所述制备方法制得。