[发明专利]一种用于RS-485收发器的高阻态控制电路有效

专利信息
申请号: 202110249715.0 申请日: 2021-03-08
公开(公告)号: CN113037320B 公开(公告)日: 2022-06-21
发明(设计)人: 顾永兴 申请(专利权)人: 苏州灵天微半导体科技有限公司
主分类号: H04B1/40 分类号: H04B1/40;H04B1/401
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省苏州*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 用于 rs 485 收发 高阻态 控制电路
【权利要求书】:

1.一种用于RS-485收发器的高阻态控制电路,包括RS-485输出驱动模块(1)和高阻态控制模块(2);其特征在于:所述RS-485输出驱动模块(1)的总线输出级电性连接有NPN三极管(31)和PNP三极管(32),所述高阻态控制模块(2)用于控制在RS-485输出驱动模块(1)使能关闭时,使得NPN三极管(31)和PNP三极管(32)均截止;所述NPN三极管(31)的发射极和PNP三极管(32)的发射极分别与RS-485输出驱动模块(1)的A/B端口电性连接,NPN三极管(31)的集电极接电源,PNP三极管(32)的集电极接地;所述高阻态控制模块(2)用于控制在RS-485输出驱动模块(1)使能关闭时,使得NPN三极管(31)的基极接最低电位和PNP三极管(32)的基极接最高电位;所述高阻态控制模块(2)包括第一PMOS管(4)、第二PMOS管(5)、第三PMOS管(6)、第四PMOS管(7)、第一NMOS管(8)、第二NMOS管(9)、第三NMOS管(10)、第四NMOS管(11)和反相器(12);所述RS-485输出驱动模块(1)的驱动使能信号分别与反相器(12)的输入端、第二PMOS管(5)的栅极和第二NMOS管(9)的栅极电性连接,反相器(12)的输出端与第一PMOS管(4)的栅极和第一NMOS管(8)的栅极电性连接;所述第一PMOS管(4)的源极接电源,第一PMOS管(4)的漏极和第一NMOS管(8)的漏极与第四PMOS管(7)的栅极电性连接,第一NMOS管(8)的源极分别与第三NMOS管(10)的漏极和第四NMOS管(11)的漏极电性连接;所述第二PMOS管(5)的漏极和第二NMOS管(9)的漏极与第四NMOS管(11)的栅极电性连接,第二NMOS管(9)的源极接地,第二PMOS管(5)的源极分别与第三PMOS管(6)的漏极和第四PMOS管(7)的漏极电性连接;所述第三PMOS管(6)的源极接电源,所述第三NMOS管(10)的源极接地,第三PMOS管(6)的栅极和第三NMOS管(10)的栅极与RS-485输出驱动模块(1)的A/B端口电性连接;所述NPN三极管(31)的基极与第四NMOS管(11)源极电性连接,所述PNP三极管(32)的基极与第四PMOS管(7)的源极电性连接;所述高阻态控制模块(2)还包括第五PMOS管(13)和第五NMOS管(14);所述第五PMOS管(13)的栅极接电源,第五PMOS管(13)的源极与第四PMOS管(7)的漏极电性连接,所述第五NMOS管(14)的栅极接地,第五NMOS管(14)的源极与第四NMOS管(11)的漏极电性连接,所述第五PMOS管(13)的漏极和第五NMOS管(14)的漏极与RS-485输出驱动模块(1)的A/B端口电性连接;所述第一PMOS管(4)、第二PMOS管(5)、第三PMOS管(6)、第四PMOS管(7)和第五PMOS管(13)的N阱和第一NMOS管(8)、第二NMOS管(9)、第三NMOS管(10)、第四NMOS管(11)和第五NMOS管(14)的P阱浮空,阻断衬底与阱之间寄生二极管的钳位。

2.根据权利要求1所述的一种用于RS-485收发器的高阻态控制电路,其特征在于:所述第三PMOS管(6)的栅极和与RS-485输出驱动模块(1)的A/B端口电性连接之间、第三NMOS管(10)的栅极与RS-485输出驱动模块(1)的A/B端口电性连接之间、第五PMOS管(13)的栅极和第五NMOS管(14)的栅极分别连接有电阻。

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