[发明专利]发光器件的制造方法和发光器件

说明书

本发明涉及LED微显示技术领域，公开了一种发光器件的制造方法和发光器件，包括提供一晶圆；晶圆包括一衬底及自该衬底生长的一外延层；在外延层上远离衬底的一侧刻蚀多个第一沟槽，以使外延层表面形成多个像素区域；第一沟槽的深度小于外延层的厚度；在第一沟槽所在位置继续向下刻蚀，获取多个第二沟槽；在各第二沟槽中填充有机胶；和/或对衬底远离外延层的一侧进行图形化处理，形成至少一个第三沟槽；第三沟槽的深度小于衬底的厚度。通过在像素区域之间制作深沟槽并填充有机胶，达到释放晶圆上应力的效果，进而实现减少LED发光芯片出现翘曲现象的目的。或在衬底远离外延层的一侧制作图形化，来减小整个晶圆的应力，达到减少出现翘曲现象的目的。

技术领域

本发明涉及LED微显示技术领域，特别是涉及一种发光器件的制造方法和发光器件。

背景技术

LED发光芯片与驱动芯片的键合可通过Die(晶粒)to Die或Wafer(晶圆)to Wafe两种键合方式实现。在使用wafer to wafer键合方式时，晶圆的翘曲对键合的对位精度以及键合精度均有较大影响。因此，LED发光芯片和驱动芯片在通过Wafer to Wafer进行键合时，需要两片Wafer尽可能的平整无翘曲。但在实际生产中，Wafer通常会因其本身的应力及后续生长的膜层和一些工艺制程带来的应力而导致其出现翘曲。

发明内容

基于此，有必要针对Wafer因其本身的应力及后续生长的膜层和一些工艺制程带来的应力而导致其出现翘曲的问题，提供一种发光器件的制造方法和发光器件。

一种发光器件的制造方法，包括提供一晶圆；所述晶圆包括一衬底及自该衬底生长的一外延层；在所述外延层上远离所述衬底的一侧刻蚀多个第一沟槽，以使所述外延层表面形成多个像素区域；所述第一沟槽的深度小于所述外延层的厚度；在所述第一沟槽所在位置继续向下刻蚀，获取多个第二沟槽；在各所述第二沟槽中填充有机胶；和/或对所述衬底远离所述外延层的一侧进行图形化处理，形成至少一个第三沟槽；所述第三沟槽的深度小于所述衬底的厚度。

上述发光器件的制造方法，在晶圆的外延层上刻蚀获取多个第一沟槽，以形成多个像素区域。第一沟槽的深度小于外延层的厚度。在第一沟槽所在位置继续向下刻蚀形成第二沟槽，并在第二沟槽中填充有机胶。第二沟槽的深度至少贯穿所述外延层。通过在像素区域之间制作深沟槽并填充有机胶，从而达到释放晶圆上应力的效果，进而可以实现减少LED发光芯片出现翘曲现象的目的。或在衬底远离外延层的一侧制作图形化，来减小整个晶圆的应力，进而减小出现翘曲现象的概率。

在其中一个实施例中，所述第二沟槽的深度至少贯穿所述外延层。

在其中一个实施例中，所述外延层包括P型半导体层和N型半导体层，当所述有机胶为绝缘有机胶或所述有机胶为导电性小于N型半导体层的导电性时，所述第二沟槽的宽度小于所述第一沟槽的宽度。

在其中一个实施例中，所述外延层包括P型半导体层和N型半导体层，当所述有机胶为导电性大于等于N型半导体层的导电性时，所述第二沟槽的宽度小于或等于所述第一沟槽的宽度。

在其中一个实施例中，所述在所述第一沟槽所在位置继续向下刻蚀，获取多个第二沟槽包括在每间隔N个像素区域之间的所述第一沟槽所在位置继续向下刻蚀，获取多个所述第二沟槽；其中，N为大于等于1的整数。

在其中一个实施例中，所述在所述第一沟槽所在位置继续向下刻蚀，获取多个第二沟槽包括随机在所述外延层上任意所述第一沟槽所在位置继续向下刻蚀，获取多个所述第二沟槽。

在其中一个实施例中，在所述衬底远离所述外延层的一侧上刻蚀多个第三沟槽之前，所述制造方法还包括在所述外延层远离所述衬底的一侧上形成一保护层。

在其中一个实施例中，在所述衬底远离所述外延层的一侧上刻蚀多个第三沟槽之后，所述制造方法还包括在各所述第三沟槽中填充有机胶或在部分所述第三沟槽中填充有机胶。