[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，具备：衬底，具有核心区域及以包围所述核心区域外周的方式设置的第1区域；

源极线，在所述核心区域设置在所述衬底的上方；

多个字线，在所述核心区域设置在所述源极线的上方，并在与所述衬底的表面交叉的第1方向上相互分开地设置；

柱，在所述核心区域中在所述第1方向上延伸设置，底部到达所述源极线，且与所述字线的交叉部分作为存储单元发挥功能；

外周导电体层，在所述第1区域以包围所述核心区域的方式设置，且包含在具备所述源极线的第1层中；

下层导电体层，设置在所述第1区域，且包含在所述第1层与所述衬底之间的第2层中；以及

第1接点层，在所述第1区域以包围所述核心区域的方式设置在所述下层导电体层之上，上端包含在所述第1层中，并与所述外周导电体层电连接。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述外周导电体层与所述源极线之间电绝缘。

3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述外周导电体层包含第1外周导电体层及第2外周导电体层，所述第1外周导电体层及所述第2外周导电体层在所述第1方向上相互分开地设置，且

所述第1接点将下层侧的所述第1外周导电体层分断并在所述第1方向上延伸，所述第1接点的上端与上层侧的所述第2外周导电体层的底面接触。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其还具备：第1绝缘体层，跨及所述核心区域及所述第1区域，设置在所述第1层与所述第2层之间的第3层，且由所述第1接点分断；以及

第2绝缘体层，设置在所述第1接点的侧面，并与所述第1绝缘体层接触；且

所述第1绝缘体层及所述第2绝缘体层分别含有氮化硅。

5.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述外周导电体层包含第1外周导电体层及第2外周导电体层，所述第1外周导电体层及所述第2外周导电体层在所述第1方向上相互分开地设置，在所述第1外周导电体层及所述第2外周导电体层之间具备绝缘体层，

所述柱包含在所述第1方向上延伸设置的半导体，且

所述半导体在设置着所述绝缘体层的高度处，与所述源极线接触。

6.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中与所述第1接点的上端邻接的所述第1接点的侧面部分与所述外周导电体层接触。

7.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其还具备第2接点，所述第2接点在所述第1区域以包围所述核心区域的方式设置在所述第1接点的上方，且所述第2接点的上端包含在比所述柱的上端更靠上层处。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其还具备中间接点，所述中间接点在所述第1区域以包围所述核心区域的方式设置在所述第1接点与所述第2接点之间，且与所述中间接点的上端邻接的所述中间接点的侧面部分与所述外周导电体层接触，

在所述第1接点与所述中间接点的接触部分，所述第1接点的侧面与所述中间接点的侧面对齐设置，且

相比所述第1接点与所述中间接点的接触部分中所述中间接点的所述第2方向的宽度，所述中间接点与所述外周导电体层的接触部分中所述中间接点的与所述第1方向交叉的第2方向的宽度更大。

9.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述衬底在所述第1区域包含P型阱区域及形成在所述P型阱区域的N型杂质扩散区域，且

所述下层导电体层电连接于所述N型杂质扩散区域。

10.根据权利要求9所述的半导体存储装置，其中所述衬底还具有设置在所述核心区域与所述第1区域之间的第2区域，且

所述外周导电体层经由所述第1区域的一部分连接于所述源极线。

11.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中所述第1接点设置为四角环状。