[发明专利]发光二极管外延片制备方法

权利要求书

1.一种发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠在所述衬底上的复合层、n型GaN层、多量子阱层及p型GaN层，

所述复合层包括依次层叠在所述衬底上的第一AlInGaN层、AlGaN层及第二AlInGaN层，所述AlGaN层上具有多个相互间隔的且延伸至所述衬底的凹槽，所述第二AlInGaN层填满多个所述凹槽，且所述第二AlInGaN层覆盖所述AlGaN层远离所述衬底的表面。

2.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述复合层的厚度为1.5～2um。

3.根据权利要求1所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlInGaN层的厚度为0.5～1um，所述AlGaN层的厚度为1～1.5um。

4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第一AlInGaN层的厚度与所述第二AlInGaN层的厚度之比为30:1～20:1。

5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二AlInGaN层的厚度为15至35nm。

6.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二AlInGaN层中，Al组分与In组分的含量沿所述第二AlInGaN层的生长方向减小至0。

7.根据权利要求6所述的发光二极管外延片，其特征在于，所述第二AlInGaN层Al组分的含量由0.1～0.2减小至0，所述第二AlInGaN层In组分的含量由0.2～0.3减小至0。

8.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管外延片，其特征在于，多个所述凹槽在所述AlGaN层的表面均匀分布，相邻的两个所述凹槽的最小距离为0.05～0.1um。

9.一种发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述发光二极管外延片制备方法包括：

提供一衬底；

在所述衬底上生长复合层，所述复合层包括依次层叠在所述衬底上的第一AlInGaN层、AlGaN层及第二AlInGaN层，所述AlGaN层上具有多个相互间隔的且延伸至所述衬底的凹槽，所述第二AlInGaN层填满多个所述凹槽，且所述第二AlInGaN层覆盖所述AlGaN层远离所述衬底的表面；

在所述复合层上生长n型GaN层；

在所述n型GaN层上生长多量子阱层；

在所述多量子阱层上生长p型GaN层。

10.根据权利要求9所述的发光二极管外延片制备方法，其特征在于，所述在所述衬底上生长复合层，包括；

在所述衬底上依次生长第一AlInGaN膜及AlGaN膜；

在所述AlGaN膜的表面形成多个相互间隔的，且延伸至所述衬底的凹槽，形成所述第一AlInGaN层与AlGaN层；

在所述AlGaN膜及所述凹槽上生长所述第二AlInGaN层。