[发明专利]贴片式光伏旁路模块及其封装工艺

权利要求书

1.一种贴片式光伏旁路模块，其特征在于，包括：

引线框架，包括相互独立的第一框架和第二框架；

MOSFET芯片，设置在所述第一框架上，且其漏极与所述第一框架电气连接，其源极通过导电条带与所述第二框架电气连接；

电容，设置在所述第一框架上；

IC芯片，设置在所述第一框架上，分别与所述MOSFET芯片和所述电容电气连接；

其中，所述导电条带至少包括铝带和铜片。

2.根据权利要求1所述的贴片式光伏旁路模块，其特征在于，所述第一框架和所述第二框架包括：片状结构。

3.一种贴片式光伏旁路模块的封装工艺，其特征在于，包括步骤：

提供引线框架、MOSFET芯片、IC芯片及电容，所述引线框架包括相互独立的第一框架和第二框架；

将所述MOSFET芯片固定在所述第一框架上，且所述MOSFET芯片的漏极与所述第一框架电气连接；

将所述IC芯片和所述电容固定在所述第一框架上；

对固定有所述MOSFET芯片、所述IC芯片和所述电容的所述第一框架进行清洗；

利用导电条带将所述MOSFET芯片的源极与所述第二框架电气连接；

将所述IC芯片分别与所述MOSFET芯片和所述电容电气连接；

进行塑封，对所述MOSFET芯片、所述IC芯片、所述电容以及电气连接的连接部分进行密封保护，只露出所述第一框架的部分和所述第二框架的部分；

其中，所述导电条带至少包括铜片，利用所述铜片将所述MOSFET芯片的源极与所述第二框架电气连接的步骤包括：

在所述MOSFET芯片的源极上印刷焊膏，在所述第二框架的连接处印刷焊膏；

将所述铜片的一端置于所述MOSFET芯片源极处的焊膏上，将所述铜片的另一端置于所述第二框架连接处的焊膏上；

采用回流焊接工艺，利用所述铜片将所述MOSFET芯片的源极与所述第二框架电气连接。

4.根据权利要求3所述的贴片式光伏旁路模块的封装工艺，其特征在于，将所述MOSFET芯片固定在所述第一框架上，且所述MOSFET芯片的漏极与所述第一框架电气连接的步骤包括：

采用软焊料工艺，沿着所述MOSFET芯片的漏极一面将所述MOSFET芯片固定在所述第一框架上，其焊料层厚度为25～75μm。

5.根据权利要求3或4所述的贴片式光伏旁路模块的封装工艺，其特征在于，将所述IC芯片和所述电容固定在所述第一框架上的步骤包括：

采用点胶工艺将所述IC芯片和所述电容固定在所述第一框架上，点胶厚度为20～40μm；然后进行氮气烘烤固化，烘烤温度为150～180℃，烘烤时间为60～90min。

6.根据权利要求5所述的贴片式光伏旁路模块的封装工艺，其特征在于，采用等离子体机，对固定有所述MOSFET芯片、所述IC芯片和所述电容的所述第一框架，以及所述第二框架，进行清洗。

7.根据权利要求6所述的贴片式光伏旁路模块的封装工艺，其特征在于，所述导电条带还包括铝带。

8.根据权利要求7所述的贴片式光伏旁路模块的封装工艺，其特征在于，利用所述铝带将所述MOSFET芯片的源极与所述第二框架电气连接的步骤包括：

采用超声波焊接工艺，将所述铝带的一端与所述MOSFET芯片的源极键合，将所述铝带的另一端与所述第二框架键合。

9.根据权利要求7所述的贴片式光伏旁路模块的封装工艺，其特征在于，将所述IC芯片分别与所述MOSFET芯片和所述电容电气连接的步骤包括：

采用超声波金线焊接工艺，将所述IC芯片分别与所述MOSFET芯片和所述电容电气连接；其中，所述电容的表面形成有镀金层。

10.根据权利要求9所述的贴片式光伏旁路模块的封装工艺，其特征在于，进行塑封的步骤包括：

采用塑封料进行塑封，然后烘烤固化，烘烤温度为175℃，烘烤时间为8h。