[发明专利]一种阻变存储器单元电路、阻变存储器及写操作方法

说明书

本申请公开一种阻变存储器单元电路、阻变存储器及写操作方法，一种阻变存储器单元电路，包括：阻变存储模块，用于通过电阻变化进行数据的存储；监测模块，用于监测所述阻变存储模块的通路是否导通以及是否完成阻变；延时模块，用于在所述监测模块监测到所述阻变存储模块完成阻变时开始计时，并在预设时间后控制切断所述阻变存储模块的通路；连通模块，所述延时模块通过控制所述连通模块以延时切断所述阻变存储模块的通路。能够提高现有阻变存储器的可靠性。

技术领域

本申请涉及半导体电路技术领域，尤其涉及一种阻变存储器单元电路、阻变存储器及写操作方法。

背景技术

目前，阻变存储器(RRAM)以良好的可微缩性、低功耗和与逻辑工艺良好的兼容性成为一种较有前途的先进工艺节点下的嵌入式非易失存储器，被广泛的应用于消费电子、自动驾驶汽车、工业控制和物联网边缘设备等领域。

然而，现有阻变存储器的写操作方法是，当检测到阻变单元被写成功后，立即切断写电压，该种写操作方法虽然能降低功耗，避免过操作，但是会给阻变存储器带来可靠性方面的问题。

发明内容

本申请实施例提供了一种阻变存储器单元电路、阻变存储器及写操作方法，能够提高现有阻变存储器的可靠性。

第一方面，一种阻变存储器单元电路，包括：

阻变存储模块，用于通过电阻变化进行数据的存储；

监测模块，用于监测所述阻变存储模块的通路是否导通以及是否完成阻变；

延时模块，用于在所述监测模块监测到所述阻变存储模块完成阻变时开始计时，并在预设时间后控制切断所述阻变存储模块的通路；

连通模块，所述延时模块通过控制所述连通模块以延时切断所述阻变存储模块的通路。

在一种可行的实施方式中，所述延时模块，还用于在所述阻变存储模块的通路导通时开始计时，在所述监测模块监测到所述阻变存储模块完成阻变时停止计时，以得到阻变过程时长，根据所述阻变存储模块的所述阻变过程时长设定所述预设时间，并在所述阻变存储模块完成阻变时历经所述预设时间后控制切断所述阻变存储模块的通路。

在一种可行的实施方式中，所述连通模块包括MOS管，所述MOS管的栅极与所述延时模块电连接，所述MOS管的源级或漏极中的一者与所述监测模块电连接，另一者与所述阻变存储模块电连接。

在一种可行的实施方式中，所述连通模块包括限流单元；

所述延时模块通过分步控制减小所述限流单元的电流直至切断，以延时切断所述阻变存储模块的通路。

在一种可行的实施方式中，所述限流单元包括电流源子单元和至少两个限流子单元，流经所有所述限流子单元的电流之和等于流经所述电流源子单元的电流，所述限流子单元分别电连接所述电流源子单元、所述阻变存储模块和所述延时模块；

所述延时模块通过分步控制切断所述限流子单元的电流通路，以分步减小所述限流单元的电流，直至切断所有所述限流子单元的电流通路。

第二方面，一种阻变存储器，包括至少两个上述任一项所述的阻变存储器单元电路。

第三方面，一种阻变存储器单元电路的写操作方法，包括：

通过控制连通模块以使阻变存储模块的通路导通；

向所述阻变存储模块输入编程电压信号，对所述阻变存储模块进行写操作，所述阻变存储模块发生阻变；

监测所述阻变存储模块是否完成阻变；

在所述阻变存储模块完成阻变时，历经预设时间后，控制切断所述阻变存储模块的通路，完成此次写操作。