[发明专利]一种基于压接式IGCT的全桥功率模块结构

权利要求书

1.一种基于压接式IGCT的全桥功率模块结构，其特征在于，包括固定框组件、IGCT模块、绝缘隔板和二极管模块；

其中，所述绝缘隔板固定在所述固定框组件中间，所述绝缘隔板左右两侧分别设置有所述IGCT模块和所述二极管模块，所述IGCT模块和所述二极管模块与固定框组件可拆卸压接；所述IGCT模块的IGCT器件层叠式布置，所述二极管模块的第一二极管器件与所述IGCT器件相对应以层叠式布置，所述第一二极管器件与对应的所述IGCT器件反并联，形成全桥电路；所述固定框组件包括上压板和压紧部件，所述上压板设置有圆孔，所述压紧部件与所述上压板的圆孔滑动连接，所述压紧部件包括第一压紧组件和第二压紧组件；其中，所述第一压紧组件和所述第二压紧组件均固定在所述上压板上；所述第一压紧组件与所述IGCT模块上部配合，将所述IGCT模块压装固定；所述第二压紧组件与所述二极管模块上部配合，将所述二极管模块压装固定；所述第一压紧组件与所述第二压紧组件结构一致，所述第一压紧组件包括压紧块、弹簧和顶栓；其中，所述压紧块为圆柱形，所述压紧块下端设置有台阶面，所述压紧块上端与所述上压板的圆孔滑动连接，所述压紧块上套装有所述弹簧，所述弹簧设置在所述上压板、所述压紧块的台阶面之间；所述压紧块中间开有螺纹孔，所述顶栓设置有外螺纹，所述顶栓与所述压紧块通过螺纹连接；

所述二极管模块还包括第二二极管器件和压接电阻，所述第二二极管器件第一端与所述压接电阻连接，所述第二二极管器件第二端与所述第一二极管器件连接；

所述IGCT模块还包括第一水冷散热器、第一绝缘板、第二绝缘板、铝方框、第一垫板和第三绝缘板；其中，所述IGCT器件设置4个，所述第一水冷散热器设置6个，所述第一绝缘板设置1个，所述第二绝缘板设置1个，所述铝方框设置1个，所述第一垫板设置1个，所述第三绝缘板设置1个；所述第一垫板、所述第一绝缘板、第一水冷散热器A、IGCT器件A、第一水冷散热器B、IGCT器件B、第一水冷散热器C、IGCT器件C、第一水冷散热器D、IGCT器件D、第一水冷散热器E、所述第二绝缘板、所述铝方框、第一水冷散热器F、所述第三绝缘板从上往下层叠式布置，所述铝方框用于安装放电电阻；所述第一垫板与所述顶栓配合，将压紧力传导到所述IGCT模块。

2.根据权利要求1所述的基于压接式IGCT的全桥功率模块结构，其特征在于，所述固定框组件还包括下压板、左侧板、右侧板和限位部件；

其中，所述左侧板、所述右侧板分别与所述上压板、所述下压板通过螺栓连接，构成矩形框架；所述限位部件固定在所述下压板上。

3.根据权利要求2所述的基于压接式IGCT的全桥功率模块结构，其特征在于，所述限位部件包括第一限位组件和第二限位组件；

其中，所述第一限位组件设置在所述下压板和所述IGCT模块之间，限制所述IGCT模块向下移动；所述第二限位组件设置在所述下压板和所述二极管模块之间，限制所述二极管模块向下移动。

4.根据权利要求1所述的基于压接式IGCT的全桥功率模块结构，其特征在于，所述二极管模块还包括第二水冷散热器、第四绝缘板、第二垫板和第五绝缘板；

其中，所述第一二极管器件设置4个，所述第二二极管器件设置1个，所述第二水冷散热器设置7个，所述压接电阻设置1个，所述第四绝缘板设置1个，所述第二垫板设置1个，所述第五绝缘板设置1个；所述第二垫板、所述第四绝缘板、第二水冷散热器A、第一二极管器件A、第二水冷散热器B、第一二极管器件B、第二水冷散热器C、第一二极管器件C、第二水冷散热器D、第一二极管器件D、第二水冷散热器E、所述第二二极管器件、第二水冷散热器F、所述压接电阻、第二水冷散热器G、所述第五绝缘板从上往下层叠式布置。

5.根据权利要求1所述的基于压接式IGCT的全桥功率模块结构，其特征在于，所述IGCT器件两两串联，上端两个串联的所述IGCT器件与下端两个串联的所述IGCT器件并联，每个第一二极管器件与对应的所述IGCT器件反并联，形成全桥电路。

6.根据权利要求4所述的基于压接式IGCT的全桥功率模块结构，其特征在于，所述第一二极管器件为整流二极管，所述第二二极管器件为续流二极管。