[发明专利]一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法

权利要求书

1.一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法，其特征在于，采用带磁芯的饱和电抗器构造半导体器件功率模块，

所述带磁芯的饱和电抗器通过如下步骤获得：

A、对于所述半导体器件功率模块，以空芯可调电抗作为换流电抗器，调节所述空芯可调电抗的电抗值为在发生一开关行为时不使所述半导体器件功率模块换流时损坏的第一预期值；

B、反复增大所述空芯可调电抗的感值，直到任何电流下开关行为都不会导致低电流振荡，确认此时所述空芯可调电抗的感值L；

C、基于所述步骤B中得到的感值L，确定所述带磁芯的饱和电抗器不饱和时的感值，以设计所述带磁芯的饱和电抗器。

2.根据权利要求1所述的一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法，其特征在于，

在所述步骤A中，在所述半导体器件功率模块的最高工作电压下，调节空芯可调电抗的电抗值为在发生一开关行为时不使所述半导体器件功率模块换流时损坏的第一预期值。

3.根据权利要求1或2所述的一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法，其特征在于，

在所述步骤A中，通过脉冲试验得到所述半导体器件功率模块的引起低电流振荡现象的最大电流I_m。

4.根据权利要求3所述的一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法，其特征在于，

在所述步骤B中，反复增大所述空芯可调电抗的感值，并进行脉冲试验，以确认此时所述空芯可调电抗的感值L。

5.根据权利要求4所述的一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法，其特征在于，

在所述步骤C中，在所述最大电流I_m基础上确定所述带磁芯的饱和电抗器的饱和临界电流值；确定所述带磁芯的饱和电抗器不饱和时的感值，以设计所述带磁芯的饱和电抗器。

6.根据权利要求5所述的一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法，其特征在于，

在所述最大电流I_m基础上留有预期裕量，作为所述带磁芯的饱和电抗器的饱和临界电流值。

7.根据权利要求6所述的一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法，其特征在于，

所述预期裕量为所述最大电流I_m的0.5倍或1倍。

8.根据权利要求5-7任一所述的一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法，其特征在于，

设计所述带磁芯的饱和电抗器时，令所述带磁芯的饱和电抗器不饱和时的感值高于所述感值L。

9.根据权利要求4-7任一所述的一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法，其特征在于，

所述半导体器件功率模块为IGCT模块。

10.根据权利要求9所述的一种基于饱和电抗器的快恢复二极管小电流振荡抑制方法，其特征在于，

所述最大电流I_m为所述IGCT模块中快恢复二极管在低电流密度通流时进入阻断态时的最大电流。