[发明专利]一种新型DRAM结构及实现方法

权利要求书

1.一种新型DRAM结构及实现方法，其特征在于，所述DRAM结构包含晶体管为纵向环栅结构晶体管和沟槽电容。

2.如权利要求1所述的一种新型DRAM结构及实现方法，其特征在于，所述DRAM结构中的纵向环栅结构晶体管为NMOSFET，其最下方为N+层，做晶体管源区。该层上方为P型层，做晶体管沟道区。P型沟道半导体区上方为N-轻掺杂层。N-层上方为另一N+层，做晶体管源区。

3.如权利要求1所述的一种新型DRAM结构及实现方法，其特征在于，所述DRAM结构中的纵向环栅结构晶体管可以实现1面，2面，3面或4面导电，沟道导电面数可以由用户自行选择指定。

4.如权利要求1所述的一种新型DRAM结构及实现方法，其特征在于，所述DRAM结构中的纵向环栅结构晶体管栅电极可以是整体为多晶硅，或者整体为金属硅化物，或者整体为金属，或者局部为多晶硅、硅化物、金属的任意组合共同构成栅极介质。

5.如权利要求1所述的一种新型DRAM结构及实现方法，其特征在于，所述DRAM结构中的沟槽电容，极板之一为多晶硅，通过源极开孔直接与晶体管源极相连，二氧化硅作为沟槽电容的绝缘材料，再生长一层金属或金属硅化物或多晶硅或上述几种材料的组合构成。电容和栅极材料之间通过另一深沟槽隔开。

6.如权利要求1所述的一种新型DRAM结构及实现方法，其特征在于，所述DRAM结构可以根据需要做在不同的P阱或N阱中，阱可以兼容其他晶体管的制作工艺。

7.如权利要求1所述的一种新型DRAM结构及实现方法，其特征在于，所述DRAM结构可以直接与其他晶体管相接，DRAM存储数据，其他晶体管对数据进行处理，实现存算一体。