[发明专利]NOR型存储器件及其制造方法及包括存储器件的电子设备

权利要求书

1.一种NOR型存储器件，包括：

在衬底上竖直延伸的栅堆叠，所述栅堆叠包括栅导体层和存储功能层；以及

围绕所述栅堆叠的外周、沿所述栅堆叠的侧壁延伸的第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层相对于所述衬底分别处于不同的高度处，

其中，所述存储功能层介于所述第一半导体层与所述栅导体层以及所述第二半导体层与所述栅导体层与之间，

其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的每一个包括在竖直方向上依次设置的第一源/漏区、沟道区和第二源/漏区，以及

其中，在所述栅堆叠与所述第一半导体层相交之处以及在所述栅堆叠与所述第二半导体层相交之处分别限定存储单元。

2.根据权利要求1所述的NOR型存储器件，所述第一半导体层和所述第二半导体层中的每一个还包括在竖直方向上依次设置的第二沟道区和第三源/漏区使得所述第二沟道区在竖直方向上处于所述第二源/漏区与所述第三源/漏区之间，在所述栅堆叠与所述第一半导体层相交之处以及在所述栅堆叠与所述第二半导体层相交之处分别限定彼此叠置的两个存储单元。

3.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其中，所述存储功能层包括电荷捕获材料或铁电材料中至少之一。

4.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其中，所述半导体层包括单晶半导体材料。

5.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其中，所述存储功能层形成在所述栅导体层的底面和侧壁上。

6.根据权利要求1或2所述的NOR型存储器件，其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层在竖直方向上实质上共面。

7.根据权利要求2所述的NOR型存储器件，其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层之间设置有隔离层。

8.根据权利要求7所述的NOR型存储器件，其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层中位于所述隔离层上方的半导体层的与所述隔离层相邻的源/漏区以及位于所述隔离层下方的半导体层的与所述隔离层相邻的源/漏区分别电连接到不同的位线。

9.根据权利要求2所述的NOR型存储器件，包括布置成阵列的多个所述栅堆叠以及分别围绕各个所述栅堆叠的第一半导体层和第二半导体层，

其中，各个所述栅堆叠外周的所述第一半导体层在横向上实质上共面，各个所述栅堆叠外周的所述第二半导体层在横向上实质上共面，

其中，各个所述第一半导体层中的所述第一源/漏区、所述第一沟道区、所述第二源/漏区、所述第二沟道区和所述第三源/漏区分别在横向上实质上共面，各个所述第二半导体层中的所述第一源/漏区、所述第一沟道区、所述第二源/漏区、所述第二沟道区和所述第三源/漏区分别在横向上实质上共面。

10.根据权利要求9所述的NOR型存储器件，其中，所述衬底包括器件区以及与器件区相邻的接触区，所述存储单元形成在所述器件区上，

所述NOR型存储器件还包括：

彼此不同的第一位线和第二位线；

源极线；

横向延伸的第一互连层，所述第一互连层围绕各个所述栅堆叠外周的各个所述第一半导体层中的所述第一源/漏区，并延伸到所述接触区；

横向延伸的第二互连层，所述第二互连层围绕各个所述栅堆叠外周的各个所述第一半导体层中的所述第二源/漏区，并延伸到所述接触区；以及

横向延伸的第三互连层，所述第三互连层围绕各个所述栅堆叠外周的各个所述第一半导体层中的所述第三源/漏区，并延伸到所述接触区，

其中，所述第一互连层和所述第三互连层分别电连接到所述第一位线和所述第二位线，所述第二互连层电连接到所述源极线。

11.根据权利要求10所述的NOR型存储器件，其中，所述第一互连层、所述第二互连层和所述第三互连层包括掺杂的单晶半导体材料。