[发明专利]一种SiC-MOSFET模块的驱动方法

权利要求书

1.一种SiC-MOSFET模块的驱动方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤一、检测采样，使用电压检测设备对电阻两端的实时电压进行检测，根据实时电压对栅极驱动电路进行调节；再将实时电压V-s分别与参考电压V-ref、V-shut1或V-shut2进行依次比较，将比较结果输入至信息发送装置中；

步骤二、存储计算，使用芯片对含有比较结果的信息内容进行存储，再对差异值进行计算；根据差异值计算结果，使存储模块与计算模块进行对接，完成数据交换；

步骤三、互补判断，在系统正常运行的情况下，使用检测设备对控制信号进行互补判断，检测出两个SiC-Mosfet的外部控制信号是否存在取反；

步骤四、时序判断，当检测设备检测出两个SiC-Mosfet的外部控制信号存在取反后，则进入开关时序判断的步骤；判断是否先开通内管SiC-Mosfet，再开通外管SiC-Mosfet，如果完全满足通断时序控制的情况，下一步将外部控制信号输出；

步骤五、芯片控制，使用时序控制芯片对信号输出进行控制，时序控制芯片内部设置有电压处理模块和电流处理模块，电流处理模块作为时序控制芯片的输入部分，电压处理模块作为时序控制芯片的输出部分；

步骤六、故障判断，当芯片控制出现故障时，根据SiC-Mosfet显示出的状态信息，将故障分成短路故障、超负荷运行故障、电路来源故障和信号输出故障几类；根据故障类别的不同，再进行关断等级判断；

步骤七、脉冲生成，根据关断等级信息、外部控制信号和故障判断信息，使用生成器生成脉冲；使生成的脉冲对控制信号进行通断，进而控制各SiC-Mosfet的通断。

2.根据权利要求1所述的一种SiC-MOSFET模块的驱动方法，其特征在于：在所述步骤一中，栅极驱动电路位于主电路和控制电路之间，对控制电路的信号进行放大。

3.根据权利要求1所述的一种SiC-MOSFET模块的驱动方法，其特征在于：在所述步骤二中，数据交换时，多个数据终端设备中的任意两个终端设备建立起数据通信和临时互连通路的状态，实现电路交换和混合交换。

4.根据权利要求1所述的一种SiC-MOSFET模块的驱动方法，其特征在于：在所述步骤三中，取反时，先将初始数值转换成二进制数，再对二进制数的每一位进行运算，得到的是最终结果的补码，要转换为最终结果的原码则需再次取补码。

5.根据权利要求1所述的一种SiC-MOSFET模块的驱动方法，其特征在于：在所述步骤四中，时序判断电路中的输出和下一状态是输入和当前状态的函数，再对时序电路进行分析，得到关于输入、输出和状态三者的时序分析结果。

6.根据权利要求1所述的一种SiC-MOSFET模块的驱动方法，其特征在于：在所述步骤五中，控制芯片中设置有多核处理器，使用多核处理器使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度的条件下进行应用。

7.根据权利要求1所述的一种SiC-MOSFET模块的驱动方法，其特征在于：在所述步骤六中，短路故障分为电路短路故障、用电短路故障和三相系统短路故障三种，根据短路故障种类的不同，使用不同的检修设备进行检修。

8.根据权利要求1所述的一种SiC-MOSFET模块的驱动方法，其特征在于：在所述步骤七中，脉冲信号为数字信号，数字信号在短持续时间内产生突变，随后又迅速返回其初始值。