[发明专利]一种结构紧凑的毫米波宽带匹配电路及功率放大电路

权利要求书

1.一种结构紧凑的毫米波宽带匹配电路，其特征在于，该电路包括第一微带线（1）、耦合线（3）、第二微带线（2）、有损支路、第一偏置支路、第二偏置支路；所述第一微带线（1）、耦合线（3）和第二微带线（2）依次串联，有损支路连接在耦合线（3）与第一微带线（1）相连接的端子和设定毫米波宽带匹配电路的基准电位的接地之间，第一偏置支路连接在第一微带线（1）的输出端子和第一偏置电压源之间，第二偏置支路连接在耦合线（3）与第二微带线（2）相连接的端子和第二偏置电压源之间。

2.根据权利要求1所述结构紧凑的毫米波宽带匹配电路，其特征在于，所述有损支路包括第三微带线（4）、电阻（R7）及第三电容（C8）；所述第三微带线（4）的一端与耦合线（3）和第一微带线（1）相连接的端子相连接，另一端依次串联电阻（R7）和第三电容（C8）后，连接设定毫米波宽带匹配电路的基准电位的接地；或者所述电阻（R7）的一端与耦合线（3）和第一微带线（1）相连接的端子相连接，另一端依次串联第三微带线（4）和第三电容（C8）后，连接设定毫米波宽带匹配电路的基准电位的接地。

3.根据权利要求1所述结构紧凑的毫米波宽带匹配电路，其特征在于，所述第一偏置支路包括第四微带线（5）和第一电容（C9），所述第四微带线（5）连接在第一微带线（1）的输出端子和第一偏置电压源之间，第一电容（C9）连接在第四微带线与第一偏置电压源相连接的端子和设定毫米波宽带匹配电路的基准电位的接地之间。

4.根据权利要求1所述结构紧凑的毫米波宽带匹配电路，其特征在于，所述第二偏置支路包括第五微带线（6）和第二电容（C10），所述第五微带线（6）连接在耦合线（3）与第二微带线（2）相连接的端子和第二偏置电压源之间，第二电容（C10）连接在第五微带线与第二偏置电压源相连接的端子和设定毫米波宽带匹配电路的基准电位的接地之间。

5.根据权利要求1所述结构紧凑的毫米波宽带匹配电路，其特征在于，所述第三电容（C8）采用金属-绝缘层-金属电容。

6.一种功率放大电路，其特征在于，包括n-1个如权利要求1-5任一项所述结构紧凑的毫米波宽带匹配电路，该功率放大电路还包括输入匹配电路、n个晶体管以及输出匹配电路，n为大于等于2的正整数，n个晶体管依次串联后，相邻两个晶体管之间再串联一个毫米波宽带匹配电路，且两个晶体管中，后一个晶体管的栅极与毫米波宽带匹配电路中第一微带线（1）和第四微带线（5）的共同连接点相连，前一个晶体管的漏极与第二微带线（2）的输入端子相连，所有晶体管的源极均连接地，第一个晶体管的栅极连接输入匹配电路的输出端子，最后一个晶体管的漏极连接输出匹配电路的输入端子；

相邻两个晶体管之间串联的毫米波宽带匹配电路，其第一偏置支路为后一个晶体管的栅极提供直流电，第二偏置支路为前一个晶体管的漏极提供直流电。

7.根据权利要求6所述功率放大电路，其特征在于，所述晶体管的物理结构类型为结型场效应晶体管、金属-氧化物-半导体场效应晶体管、异质结场效应晶体管、双极结型晶体管或异质结双极晶体管。

8.根据权利要求6所述功率放大电路，其特征在于，所述功率放大电路的实现形式为单片集成电路或混合集成电路。