[发明专利]铟蒸发舟

权利要求书

1.一种铟蒸发舟，其特征在于，所述铟蒸发舟用于盛放铟并将铟加热蒸发至半导体器件，以进行半导体器件的焊接和互连，所述铟蒸发舟包括：

筒体，所述筒体具有盛放铟的容纳腔；

折流组件，所述折流组件靠近所述容纳腔的开口设置，所述折流组件构造出折流通道，所述铟在所述折流通道流动时，至少发生一次路径弯折；

其中，当所述筒体被加热时，所述容纳腔内的铟蒸发，并经所述折流通道流出所述容纳腔；

所述折流组件包括：

折流板，所述折流板具有间隔设置的多个折流孔，所述折流板的周缘具有凸起台阶部，当将所述折流板层叠放置时，所述凸起台阶部使相邻的两个所述折流板间具有间隔，形成所述折流通道；

所述铟蒸发舟还包括：

第一电极板，所述第一电极板靠近所述筒体的上端设置且与 所述筒体的外周壁连接；

第二电极板，所述第二电极板靠近所述筒体的下端设置且与所述筒体的外周壁连接；

所述第二电极板为“Z”形，所述第二电极板包括：

第一水平板，所述第一水平板靠近所述筒体的下端设置且与所述筒体的外周壁连接；

垂直板，所述垂直板的一端与所述第一水平板连接；

第二水平板，所述第二水平板与所述垂直板的另一端连接，所述第二水平板与所述第一电极板平行。

2.根据权利要求1所述的铟蒸发舟，其特征在于，所述容纳腔的内壁靠近所述容纳腔的开口处具有台阶部，所述折流组件放置于所述台阶部上。

3.根据权利要求1所述的铟蒸发舟，其特征在于，所述折流组件还包括：

盖板，所述盖板叠置于所述折流板上方，所述盖板具有蒸发孔，所述容纳腔内的铟经所述折流孔路径转折后，从所述蒸发孔逸出。

4.根据权利要求3所述的铟蒸发舟，其特征在于，所述折流板为层叠设置的多个，相邻设置的两个所述折流板的折流孔沿所述筒体的轴向方向间隔交错设置。

5.根据权利要求3所述的铟蒸发舟，其特征在于，所述盖板的厚度范围为：0.5mm至1mm，所述蒸发孔为直径范围在2mm至8mm的圆形通孔。

6.根据权利要求3所述的铟蒸发舟，其特征在于，所述折流板为圆形所述折流孔形成为扇形，多个所述折流孔沿所述折流板的周向方向间隔设置。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的铟蒸发舟，其特征在于，所述筒体的直径范围为：20mm至50mm，所述筒体的高度范围为：30mm至60mm，所述筒体的壁厚范围为：1mm至2mm。