[发明专利]使用双自由层的磁传感器电桥

权利要求书

1.一种传感器装置，包括：

第一电阻器，所述第一电阻器包括：

至少一个第一双自由层(DFL)传感器；和

至少一个第一磁性结构，其中每个第一磁性结构包括：

第一反铁磁(AFM)层；和

设置在所述第一AFM层上方的合成反铁磁(SAF)结构，其中当以横截面观察时，所述至少一个第一DFL传感器与所述SAF结构线性对准；和

第二电阻器，所述第二电阻器包括：

至少一个第二DFL传感器；和

至少一个第二磁性结构。

2.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述SAF结构包括：

第一铁磁层；

设置在所述第一铁磁层上方的间隔层；和

设置在所述间隔层上方的第二铁磁层。

3.根据权利要求2所述的传感器装置，其中所述至少一个第一DFL传感器与所述第二铁磁层线性对准。

4.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述至少一个第二磁性结构包括：

第二AFM层；和

设置在所述第二AFM层上方的铁磁层。

5.根据权利要求4所述的传感器装置，其中当以横截面观察时，所述至少一个第二DFL传感器与所述铁磁层线性对准。

6.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述至少一个第一DFL传感器包括多个第一DFL传感器，其中所述至少一个第一磁性结构包括多个第一磁性结构，并且其中所述多个第一DFL传感器的数量大于所述多个第一磁性结构的数量。

7.根据权利要求6所述的传感器装置，其中所述至少一个第二DFL传感器包括多个第二DFL传感器，其中所述至少一个第二磁性结构包括多个第二磁性结构，并且其中所述多个第二DFL传感器的数量大于所述多个第二磁性结构的数量。

8.根据权利要求1所述的传感器装置，还包括：

第三电阻器，其中所述第三电阻器与所述第一电阻器基本上相同；和

第四电阻器，其中所述第四电阻器与所述第二电阻器基本上相同。

9.根据权利要求1所述的传感器装置，其中所述传感器装置为惠斯通电桥阵列。

10.一种传感器装置，包括：

第一电阻器，所述第一电阻器包括：

至少一个第一双自由层(DFL)传感器；和

至少一个磁性结构，其中每个磁性结构包括：

第一永磁体；和

设置在所述第一永磁体上方的合成反铁磁(SAF)结构，其中当以横截面观察时，所述至少一个第一DFL传感器与所述SAF结构线性对准；和

第二电阻器，所述第二电阻器包括：

至少一个第二DFL传感器；和

至少一个第二永磁体，其中当以横截面观察时，所述至少一个第二DFL传感器与所述至少一个第二永磁体线性对准。

11.根据权利要求10所述的传感器装置，其中所述至少一个第一DFL传感器是串联连接的多个第一DFL传感器。

12.根据权利要求10所述的传感器装置，其中所述至少一个第二DFL传感器是串联连接的多个第二DFL传感器。

13.根据权利要求10所述的传感器装置，其中所述SAF结构包括：

第一铁磁层；

设置在所述第一铁磁层上方的间隔层；和

设置在所述间隔层上方的第二铁磁层，其中所述至少一个第一DFL传感器与所述第二铁磁层线性对准。

14.根据权利要求10所述的传感器装置，其中所述至少一个磁性结构包括多个磁性结构，其中所述至少一个第二永磁体包括多个第二永磁体，其中所述多个磁性结构的数量等于所述多个第二永磁体的数量。