[发明专利]一种场效应晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，具体包括如下步骤：

步骤1：在衬底上生长栅介质薄膜，然后按照衬底朝下、栅介质薄膜朝上将衬底置于腐蚀液中静置，直至衬底完全溶解；

步骤2：将栅介质薄膜转移至去离子水中，以清洗掉栅介质薄膜上残留的腐蚀液；

步骤3：采用表面设置有二维材料的目标衬底将栅介质薄膜从去离子水中捞起，并进行低温烘烤，以去除残留的去离子水，使栅介质薄膜与二维材料紧密接触；

步骤4：在栅介质薄膜上定义源、漏图形，并用腐蚀液腐蚀掉源、漏图形上的栅介质薄膜，然后在源、漏图形上蒸发源、漏金属，并剥离金属，从而完成源、漏电极的制备；

步骤5：定义栅极图形，蒸发栅金属，然后剥离，从而完成场效应晶体管的制备。

2.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的衬底包括能被化学腐蚀液腐蚀的金属或Si；所述能被化学腐蚀液腐蚀的金属为Cu，Ni，Ti，Ag，Al，Cr,Pd,Au，Mo,W,Fe中的一种或两种的组合。

3.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤1中在衬底上生长栅介质薄膜采用方法的为磁控溅射，CVD或ALD。

4.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤1中栅介质薄膜的材质为Al₂O₃，SiO₂,AlN,HfO₂或Y₂O₃，栅介质薄膜的厚度为1nm-100nm。

5.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤1中的腐蚀液为三氯化铁，过硫酸铵，氯化氢，硫酸，硝酸，氢氟酸或者王水。

6.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述的步骤2中二维材料为石墨烯，MoS₂，MoSe₂，WS₂，WSe₂，MoTe₂，WTe₂或BN薄膜；采用CVD法或机械剥离法制备二维材料。

7.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤1中在衬底置于腐蚀液之前，在栅介质薄膜表面旋涂一层聚甲基丙烯酸甲酯PMMA。

8.根据权利要求1所述的一种场效应晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤4或步骤5中采用平面光刻显影定义源、漏或栅极图形。