[发明专利]一种基于稠环吸电子母核的非掺杂空穴传输材料及其合成方法和应用有效
| 申请号： | 202110255570.5 | 申请日： | 2021-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN113173936B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 尹新星;李在房;宋嘉兴;胡林;苏振;金英芝 | 申请（专利权）人： | 嘉兴学院 |
| 主分类号： | C07D513/14 | 分类号： | C07D513/14;C07D513/22;H01L51/46;H01L51/42 |
| 代理公司： | 杭州斯可睿专利事务所有限公司 33241 | 代理人： | 钦荣燕 |
| 地址： | 314001 浙江省嘉兴市*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 稠环吸电 子母 掺杂 空穴 传输 材料 及其 合成 方法 应用 | ||
1.一种基于稠环吸电子母核的非掺杂空穴传输材料，其特征在于：具有以下结构式：
2.一种如权利要求1所述非掺杂空穴传输材料的合成方法，其特征在于：包括如下步骤：
氮气保护下，将TPA-T-Sn与5,8-二溴二噻吩[3',2':3,4；2”,3”:5,6]苯并[1,2-c][1,2,5]噻二唑BTT-Br在四(三苯基膦)钯催化下偶联得到目标产物BTT-T；
3.根据权利要求2所述非掺杂空穴传输材料的合成方法，其特征在于：反应溶剂为甲苯。
4.根据权利要求2所述非掺杂空穴传输材料的合成方法，其特征在于：反应温度为110±10℃。
5.根据权利要求2所述非掺杂空穴传输材料的合成方法，其特征在于：TPA-T-Sn、稠环溴代衍生物BTT-Br、四(三苯基膦)钯的摩尔比为1:2:0.05～1:3:0.2。
6.一种如权利要求1所述非掺杂空穴传输材料的应用，其特征在于：将所述基于稠环吸电子母核的非掺杂空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池。
7.根据权利要求6所述非掺杂空穴传输材料的应用，其特征在于：在所述钙钛矿太阳能电池结构中，在钙钛矿薄膜表面旋涂基于稠环吸电子母核的非掺杂空穴传输材料作为空穴传输层。
8.根据权利要求7所述非掺杂空穴传输材料的应用，其特征在于：所述钙钛矿太阳能电池的结构从下至上依次为玻璃/ITO/SnO2/钙钛矿/HTM/Au，所述HTM为基于稠环吸电子母核的非掺杂空穴传输材料。
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