[发明专利]栅极结构中氮化钛层厚度的确定方法、装置、设备与介质有效
申请号: | 202110255733.X | 申请日: | 2021-03-09 |
公开(公告)号: | CN113053767B | 公开(公告)日: | 2022-09-06 |
发明(设计)人: | 王健;毛宏坤;李承启;杨一鸣 | 申请(专利权)人: | 普迪飞半导体技术(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 上海慧晗知识产权代理事务所(普通合伙) 31343 | 代理人: | 李茂林;徐海晟 |
地址: | 200433 上海市杨*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 栅极 结构 氮化 厚度 确定 方法 装置 设备 介质 | ||
1.一种栅极结构中氮化钛层厚度的确定方法,其特征在于,包括:
获取N个栅极结构的栅极电阻信息,每个栅极结构均包括至少一层氮化钛层,每个栅极结构中,至少有一层氮化钛层与其他栅极结构的氮化钛层是同类的,针对于任意两个栅极结构,至少有一层氮化钛层是不同类的,同类的氮化钛层所形成的电阻、厚度是相同的;其中的N为大于或等于2的整数;
根据所述N个栅极结构的栅极电阻信息,确定所述N个栅极结构中至少部分氮化钛层的厚度,其中具体包括:根据所述N个栅极结构的栅极电阻信息、所述栅极结构中材料的电阻率、以及所述栅极结构的尺寸信息,确定所述N个栅极结构中至少部分氮化钛层的厚度;
同类的氮化钛层是采用相同工艺同步制作而成的,不同类的氮化钛层是采用不同工艺和/或在不同时间制作而成的;
所述N个栅极结构包括以下至少之二:
第一栅极结构,包括第一氮化钛层与第二氮化钛层;
第二栅极结构,包括第三氮化钛层与第四氮化钛层;
第三栅极结构,包括第五氮化钛层;
第四栅极结构,包括第六氮化钛层;
其中,所述第一氮化钛层、所述第四氮化钛层、所述第六氮化钛层是同类的,所述第二氮化钛层、所述第五氮化钛层是同类的;
所述栅极结构中氮化钛层的数量为一层或两层,所述N个栅极结构中氮化钛层的种类数量为M,且N≥M*(M-1)/2。
2.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,所述栅极结构还包括钨层,所述至少一层氮化钛层设于所述钨层外。
3.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,所述至少部分氮化钛层为所述N个栅极结构的所有氮化钛层。
4.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,所述N个栅极结构的尺寸是相同的,各氮化钛层的电阻率是相同的。
5.根据权利要求1所述的确定方法,其特征在于,所述第三氮化钛层的厚度是根据以下公式确定的:
所述第二氮化钛层与所述第五氮化钛层的厚度是根据以下公式确定的:
所述第一氮化钛层、所述第四氮化钛层与所述第六氮化钛层的厚度是根据以下公式确定的:
其中:
R1表征了所述第一栅极结构的栅极电阻信息;
R2表征了所述第二栅极结构的栅极电阻信息;
R3表征了所述第三栅极结构的栅极电阻信息;
R4表征了所述第四栅极结构的栅极电阻信息;
CD表征了所述栅极结构的长度;
H表征了所述栅极结构的高度;
L表征了所述栅极结构的宽度;
表征了所述栅极结构中钨层的电阻率;
表征了所述栅极结构中氮化钛层的电阻率。
6.一种栅极结构中氮化钛层厚度的确定装置,其特征在于,包括:
获取模块,用于获取N个栅极结构的栅极电阻信息,每个栅极结构均包括至少一层氮化钛层,每个栅极结构中,至少有一层氮化钛层与其他栅极结构的氮化钛层是同类的,针对于任意两个栅极结构,至少有一层氮化钛层是不同类的,同类的氮化钛层所形成的电阻是相同的;其中的N为大于或等于2的整数;
厚度确定模块,用于根据所述N个栅极结构的栅极电阻信息,确定所述N个栅极结构中至少部分氮化钛层的厚度,其中具体包括:根据所述N个栅极结构的栅极电阻信息、所述栅极结构中材料的电阻率、以及所述栅极结构的尺寸信息,确定所述N个栅极结构中至少部分氮化钛层的厚度;
同类的氮化钛层是采用相同工艺同步制作而成的,不同类的氮化钛层是采用不同工艺和/或在不同时间制作而成的;
所述N个栅极结构包括以下至少之二:
第一栅极结构,包括第一氮化钛层与第二氮化钛层;
第二栅极结构,包括第三氮化钛层与第四氮化钛层;
第三栅极结构,包括第五氮化钛层;
第四栅极结构,包括第六氮化钛层;
其中,所述第一氮化钛层、所述第四氮化钛层、所述第六氮化钛层是同类的,所述第二氮化钛层、所述第五氮化钛层是同类的;
所述栅极结构中氮化钛层的数量为一层或两层,所述N个栅极结构中氮化钛层的种类数量为M,且N≥M*(M-1)/2。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于普迪飞半导体技术(上海)有限公司,未经普迪飞半导体技术(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110255733.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造