[发明专利]碳化硼陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，包括：

向固含量为18 vol%~24vol%的碳化硼陶瓷悬浮体中加入碳酸铵直到悬浮体pH为10~10.5搅拌20~25h，然后分离出固体得到改性后的碳化硼粉体；

将所述碳化硼粉体、添加剂和水混合球磨使添加剂吸附在碳化硼粉体表面得到初级浆料，所述添加剂包括粘结剂和增塑剂；

去除所述初级浆料中的气泡得到流延浆料；

采用所述流延浆料制得碳化硼薄片；

将所述碳化硼薄片热压烧结得到所述碳化硼陶瓷。

2.根据权利要求1所述的碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，混合球磨的条件为转速300~800 r/min，球磨2~5h；料球比0.5-2。

3.根据权利要求1所述的碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，去除气泡的方式为真空除泡。

4.根据权利要求1所述的碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，所述粘结剂选自丙烯酸共聚物、聚乙二醇、丙三醇和邻苯二甲酸二丁醋中至少一种。

5.根据权利要求1所述的碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，所述粘结剂占所述碳化硼粉体质量的2%~20%。

6.根据权利要求1所述的碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，增塑剂选自聚乙二醇和聚乙烯醇中至少一种。

7.根据权利要求1所述的碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，所述增塑剂占所述碳化硼粉体质量的0.5%~5%。

8.根据权利要求1所述的碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，所述初级浆料的固含量为40 vol%~60 vol%。

9.根据权利要求1所述的碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，分离出固体采用的方式为静置悬浮体使其完全沉淀，然后去除上层清液；或者过滤。

10.根据权利要求1所述的碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，分离出固体后还包括采用去离子水清洗固体，直到其呈中性，然后烘干。

11.根据权利要求10所述的碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，烘干温度为60~100℃。

12.根据权利要求1所述的碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，所述碳化硼薄片的厚度为0.2~0.8mm。

13.根据权利要求1所述的碳化硼陶瓷的制备方法，其特征在于，热压烧结的条件为1900℃~2100℃，压力为25MPa~45MPa。

14.一种碳化硼陶瓷，其特征在于，采用如权利要求1~13任一项所述的制备方法制得。