[发明专利]稳压二极管的制备方法

权利要求书

1.一种稳压二极管的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在所述衬底上形成外延层，对所述外延层进行离子注入以在所述外延层中形成若干阱区；

在所述外延层上形成硅化物层，所述硅化物层覆盖所述外延层；

刻蚀所述硅化物层的部分厚度以使所述硅化物层中形成若干凸起部，所述凸起部位于所述阱区的中心区域的上方；

对所述凸起部相对的两侧下方的所述阱区分别进行离子注入，以形成第一掺杂区和第二掺杂区。

2.如权利要求1所述的稳压二极管的制备方法，其特征在于，所述凸起部的厚度为

3.如权利要求2所述的稳压二极管的制备方法，其特征在于，所述硅化物层中相邻两个所述凸起部之间的部分的厚度小于

4.如权利要求1所述的稳压二极管的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂区及所述第二掺杂区注入的离子类型不同。

5.如权利要求4所述的稳压二极管的制备方法，其特征在于，所述第一掺杂区及所述第二掺杂区注入的离子类型分别为N型及P型。

6.如权利要求1所述的稳压二极管的制备方法，其特征在于，对所述凸起部相对的两侧下方的所述阱区分别进行离子注入，以形成第一掺杂区和第二掺杂区的步骤包括：

对所述凸起部第一侧下方的所述阱区进行离子注入，以形成所述第一掺杂区；

对所述凸起部第二侧下方的所述阱区进行离子注入，以形成所述第二掺杂区。

7.如权利要求6所述的稳压二极管的制备方法，其特征在于，对所述凸起部第一侧下方的所述阱区进行离子注入，以形成所述第一掺杂区；以及，对所述凸起部第二侧下方的所述阱区进行离子注入，以形成所述第二掺杂区的步骤包括：

在所述硅化物层上形成第一光刻胶层；

提供第一光罩，所述第一光罩上具有若干第一透光区，一个所述第一透光区对应于一个所述阱区位于所述凸起部第一侧的部分，所述第一透光区与所述凸起部的边缘区域具有第一重叠部分；

利用所述第一光罩对所述第一光刻胶层进行图形化；

以图形化后的所述第一光刻胶层为掩模对所述凸起部第一侧下方的所述阱区进行离子注入以形成所述第一掺杂区；以及，

在所述硅化物层上形成第二光刻胶层；

提供第二光罩，所述第二光罩上具有若干第二透光区，一个所述第二透光区对应于一个所述阱区位于所述凸起部第二侧的部分，所述第二透光区与所述凸起部的边缘区域具有第二重叠部分；

利用所述第二光罩对所述第二光刻胶层进行图形化；

以图形化后的所述第二光刻胶层为掩模对所述凸起部第二侧下方的所述阱区进行离子注入以形成所述第二掺杂区。

8.如权利要求7所述的稳压二极管的制备方法，其特征在于，所述第一重叠部分及所述第二重叠部分的宽度均为0.1μm。

9.如权利要求1所述的稳压二极管的制备方法，其特征在于，对所述外延层进行离子注入之前，还包括：

在所述外延层中形成沟槽隔离结构，所述沟槽隔离结构限定出所述阱区的位置。

10.如权利要求1所述的稳压二极管的制备方法，其特征在于，所述阱区注入的离子类型为N型或P型。