[发明专利]一种介质波导滤波器

说明书

本发明涉及一种介质波导滤波器，包括：介质基体，所述介质基体的第一侧设有若干组谐振部，所述谐振部包括两个对称设置的谐振盲孔，位于其中一侧的所述谐振部的两所述谐振盲孔之间设有耦合深孔，所述耦合深孔的一侧设有第一耦合槽，位于另一侧的两组所述谐振部之间设有第二耦合槽，所述第一耦合槽和所述第二耦合槽贯穿所述介质基体，所述介质基体的第二侧位于与所述耦合深孔相对应的位置处设有嵌套环孔，所述嵌套环孔环设在所述耦合深孔的外侧。本发明的介质波导滤波器能够直接消除传统负耦合结构带来的通带低端谐振峰，有效的提高系统的响应性能。

技术领域

本发明涉及滤波器技术领域，特别涉及一种带负耦合无低端谐振峰的介质波导滤波器。

背景技术

随着5G通信系统的飞速发展，传统的金属滤波器已无法满足小型化、低成本的要求，因而衍生出了介质波导滤波器，并得到了广泛的应用。如图1和图2所示，目前常用的介质波导滤波器的容性交叉耦合结构包括：介质基体、多组设置在介质基体上谐振盲孔、以及设置在一侧谐振盲孔之间的耦合深孔，耦合深孔用于形成负耦合，但现有的介质波导滤波器的耦合深孔易在通带低端产生谐振峰，从而影响系统的响应性能。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明提供了一种介质波导滤波器，具有可去除通带低端产生的谐振峰、提高系统响应性能的优点。

为达到上述目的，本发明的技术方案如下：

一种介质波导滤波器，包括：介质基体，所述介质基体的第一侧设有若干组谐振部，所述谐振部包括两个对称设置的谐振盲孔，位于其中一侧的所述谐振部的两所述谐振盲孔之间设有耦合深孔，所述耦合深孔的一侧设有第一耦合槽，位于另一侧的两组所述谐振部之间设有第二耦合槽，所述第一耦合槽和所述第二耦合槽贯穿所述介质基体，所述介质基体的第二侧位于与所述耦合深孔相对应的位置处设有嵌套环孔，所述嵌套环孔环设在所述耦合深孔的外侧。

作为本发明的一种优选方案，所述第一耦合槽为条形耦合槽，所述第二耦合槽包括一纵向槽和一横向槽，所述纵向槽与所述横向槽垂直交叉设置，所述横向槽位于两谐振盲孔之间，所述介质基体的第二侧位于所述纵向槽的两侧对称设有输入盲孔和输出盲孔。

作为本发明的一种优选方案，所述耦合深孔的深度大于所述谐振盲孔的深度。

作为本发明的一种优选方案，所述输入盲孔、所述输出盲孔均与所述谐振盲孔相对齐，且所述输入盲孔与所述谐振盲孔的深度之和、所述输出盲孔与所述谐振盲孔的深度之和均小于所述介质基体的厚度。

作为本发明的一种优选方案，所述耦合深孔的中轴线与所述第一耦合槽的中轴线相对齐。

作为本发明的一种优选方案，所述横向槽的中轴线与所述第一耦合槽的中轴线相对齐。

作为本发明的一种优选方案，所述介质基体的外侧、所述第一耦合槽内和所述第二耦合槽内均设有金属屏蔽层。

综上所述，本发明具有如下有益效果：

本发明实施例通过提供一种介质波导滤波器，包括：介质基体，所述介质基体的第一侧设有若干组谐振部，所述谐振部包括两个对称设置的谐振盲孔，位于其中一侧的所述谐振部的两所述谐振盲孔之间设有耦合深孔，所述耦合深孔的一侧设有第一耦合槽，位于另一侧的两组所述谐振部之间设有第二耦合槽，所述第一耦合槽和所述第二耦合槽贯穿所述介质基体，所述第一耦合槽为条形耦合槽，所述第二耦合槽包括一纵向槽和一横向槽，所述纵向槽与所述横向槽垂直交叉设置，所述横向槽位于两谐振盲孔之间，所述介质基体的第二侧位于所述纵向槽的两侧对称设有输入盲孔和输出盲孔，所述介质基体的第二侧位于与所述耦合深孔相对应的位置处设有嵌套环孔，所述嵌套环孔环设在所述耦合深孔的外侧。本发明的介质波导滤波器能够直接消除传统负耦合结构带来的通带低端谐振峰，有效的提高系统的响应性能。

附图说明