[发明专利]一种半导体器件建模方法及装置在审
| 申请号： | 202110259512.X | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN112883675A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 李垌帅;卜建辉;王成成;刘海南;赵发展;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 建模 方法 装置 | ||
1.一种半导体器件建模方法，其特征在于，包括：
基于BSIMSOI模型在器件模型漏端增加压控电阻，获得子电路模型；
基于所述子电路模型，提取所述子电路模型的模型参数。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述基于BSIMSOI模型在在器件模型漏端增加压控电阻，获得子电路模型，包括：
基于所述BSIMSOI模型，定义器件模型的漏端外部电压、漏端内部电压以及参数；
基于所述漏端外部电压和所述漏端内部电压定义所述压控电阻，获得子电路模型；其中，所述压控电阻位于所述漏端外部电压与所述漏端内部电压之间。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述参数包括：压控电阻对应的模型系数；所述基于所述子电路模型，提取所述子电路模型的模型参数，包括：
基于所述子电路模型、所述模型系数以及所述漏端外部电压，提取所述子电路模型的模型参数。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述参数还包括：压控电阻对应的预设电压；所述基于所述子电路模型，提取所述子电路模型的模型参数，包括：
基于所述子电路模型、所述模型系数、所述漏端外部电压以及所述预设电压，提取所述子电路模型的模型参数。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述基于所述子电路模型、所述模型系数、所述漏端外部电压以及所述预设电压，提取所述子电路模型的模型参数，包括：
基于所述漏端外部电压和所述预设电压，获得相关系数；其中，所述相关系数为所述漏端外部电压和所述预设电压之间的最小值；
基于所述模型系数和所述相关系数，获得压控电阻的电阻模型；
基于所述子电路模型和所述电阻模型，提取所述子电路模型的模型参数。
6.一种半导体器件建模装置，其特征在于，包括：
模型构建模块，用于基于BSIMSOI模型在器件模型漏端增加压控电阻，获得子电路模型；
参数提取模块，用于基于所述子电路模型，提取所述子电路模型的模型参数。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述模型构建模块，具体用于：
基于所述BSIMSOI模型，定义器件模型的漏端外部电压、漏端内部电压以及参数；基于所述漏端外部电压和所述漏端内部电压定义所述压控电阻，获得子电路模型；其中，所述压控电阻位于所述漏端外部电压与所述漏端内部电压之间。
8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述参数包括：压控电阻对应的模型系数；所述参数提取模块，具体用于：
基于所述子电路模型、所述模型系数以及所述漏端外部电压，提取所述子电路模型的模型参数。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述参数还包括：压控电阻对应的预设电压；所述参数提取模块，还具体用于：
基于所述子电路模型、所述模型系数、所述漏端外部电压以及所述预设电压，提取所述子电路模型的模型参数。
10.一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现权利要求1-5中任一项所述方法的步骤。
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