[发明专利]一种高维量子纠缠光源芯片、多维随机数产生系统

说明书

本发明公开了一种高维量子纠缠光源芯片、多维随机数产生系统，其中，高维量子纠缠光源芯片包括基底、设置在所述基底上的透镜阵列，以及覆盖在所述透镜阵列上方的BBO晶体。本发明提供的所述高维量子纠缠光源芯片可产生高维纠缠单光子对，且其尺寸小，利于集成，可集成于单晶片和光路系统，极大地压缩了空间占比；所述多维随机数产生系统可同时产生多维随机数，效率高，随机数保密效应高。

技术领域

本发明涉及随机数产生器领域，尤其涉及一种高维量子纠缠光源芯片、多维随机数产生系统。

背景技术

随机数产生器可分为真随机数产生器和伪随机数产生器，伪随机数产生器实际上是通过固定的可以重复实现的算法产生，并没有达到真正的随机效果，对于随机数的产生是有极大的限制并且可以被预测，对于保密通信等实际应用具有极大的限制。真随机数产生器一般基于物理过程，通过不可预测的物理量，例如噪音等，实现随机数产生。目前，最新颖的随机数产生方法是基于量子效应的随机数产生，但是目前基于高维量子纠缠光源芯片，同时实现多维随机数研究较少。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种高维量子纠缠光源芯片、多维随机数产生系统，旨在解决现有技术缺少基于高维量子纠缠光源芯片，难以实现产生多维随机数的问题。

本发明的技术方案如下：

一种高维量子纠缠光源芯片，其中，包括基底、设置在所述基底上的透镜阵列，以及覆盖在所述透镜阵列上方的BBO晶体。

所述的高维量子纠缠光源芯片，其中，所述透镜阵列的排布为：20*20。

所述的高维量子纠缠光源芯片，其中，所述BBO晶体的厚度为所述透镜阵列中透镜的两倍焦距。

所述的高维量子纠缠光源芯片，其中，所述透镜阵列中透镜的直径为120微米。

所述的高维量子纠缠光源芯片，其中，所述BBO晶体与所述透镜阵列贴合在一起。

所述的高维量子纠缠光源芯片，其中，所述BBO晶体与所述基底对应的侧边设置有封胶层。

所述的高维量子纠缠光源芯片，其中，所述基底为蓝宝石基底。

所述的高维量子纠缠光源芯片，其中，所述基底为二氧化硅基底。

所述的高维量子纠缠光源芯片，其中，所述透镜阵列中的透镜为GaN透镜、二氧化钛透镜或硅透镜中的一种。

一种多维随机数产生系统，其中，包括本发明所述的高维量子纠缠光源芯片。

有益效果：本发明提供了一种高维量子纠缠光源芯片，其包括基底、设置在所述基底上的透镜阵列，以及覆盖在所述透镜阵列上方的BBO晶体。基于所述高维量子纠缠光源芯片的多维随机数产生系统，能够实现同时产生多维随机数，极大提高随机数参数效率和速度。

附图说明

图1为BBO晶体产生纠缠光的原理示意图。

图2为本发明提供的高维量子纠缠光源芯片中，基底与透镜阵列的组成结构示意图。

图3为本发明提供的高维量子纠缠光源芯片的结构示意图。

图4为本发明提供的多维随机数产生系统的原理示意图。

具体实施方式

本发明提供一种高维量子纠缠光源芯片、多维随机数产生系统，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。