[发明专利]用于电光调制器的电光晶体薄膜、制备方法及电子元器件

权利要求书

1.一种用于电光调制器的电光晶体薄膜的制备方法，其特征在于，包括：

准备支撑基板，所述支撑基板包括由下至上依次层叠的衬底层和隔离层；

在所述隔离层上制备电极层；

在所述电极层上制备与目标凹槽阵列图案相反的掩膜；

由所述电极层表面没有被所述掩膜覆盖区域向所述支撑基板方向刻蚀第一深度，形成目标凹槽阵列，其中，所述第一深度等于所述电极层的厚度；

去除所述掩膜；

由电光晶体基片工艺面向所述电光晶体基片内进行离子注入，将所述电光晶体基片依次分为电光晶体薄膜层、分离层和余质层；

切割进行离子注入后的电光晶体基片，得到与所述目标凹槽阵列中各凹槽尺寸相匹配的电光晶体切片；

将各个所述电光晶体切片转移至所述目标凹槽阵列中对应的凹槽内、且与所述目标凹槽阵列中对应的凹槽内的隔离层键合，得到键合体；

对所述键合体进行热处理，将每个所述电光晶体切片的余质层与电光晶体薄膜层分离，得到电光晶体薄膜。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，如果所述支撑基板还包括层叠于所述隔离层上的电极支撑层，则所述第一深度等于所述电极层与所述电极支撑层的厚度之和，所述电光晶体薄膜层的厚度大于所述电极支撑层的厚度。

3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，每个凹槽内的电光晶体切片周边均留有空隙。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：

对所述目标凹槽阵列中各凹槽底部抛光处理，使所述目标凹槽阵列中各凹槽底部粗糙度＜1nm。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述目标凹槽阵列中各凹槽的尺寸相同或不同。

6.一种用于电光调制器的电光晶体薄膜，其特征在于，包括依次层叠的衬底层和隔离层；

所述隔离层上包括被电极层覆盖的第一区域，以及，没有被所述电极层覆盖的第二区域，

所述第二区域通过覆盖在所述第一区域上的电极层围合形成凹槽阵列，其中，所述凹槽阵列中各凹槽底部对应的隔离层上层叠有电光晶体薄膜层；

所述电极层与所述隔离层之间还层叠有电极支撑层，所述电光晶体薄膜层的厚度大于所述电极支撑层的厚度。

7.根据权利要求6所述的用于电光调制器的电光晶体薄膜，其特征在于，每个凹槽内的所述电光晶体薄膜层周边均留有空隙。

8.根据权利要求6所述的用于电光调制器的电光晶体薄膜，其特征在于，所述凹槽阵列中凹槽的长度为1μm-100mm，所述凹槽阵列中凹槽的宽度为1μm-100mm，相邻两个凹槽的间距为1μm-100mm。

9.一种电子元器件，其特征在于，包括如权利要求6-8任一所述的用于电光调制器的电光晶体薄膜。