[发明专利]功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法

权利要求书

1.一种功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，其特征在于：包含如下的步骤：

步骤1，首先确定BV测试时的首尾测试项目的漏电流值I₀及I₀’，根据产品的BV特性曲线确定一个漏电流测试值I_t；

步骤2，确定Stress测试的强度测试电流Istress；获得施加强度测试电流Istress时的测试总时间极值Tstress；

步骤3，确定Stress测试的每一步测试时间Tstep；

步骤4，确定Stress测试的重复测试次数n，即测试的步数。

2.如权利要求1所述的功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，其特征在于：所述的漏电流值I₀及I₀’，这两个漏电流值相同，但是其测试值会有变化，通过设置首尾两次测试来观察他们测试值的变化；所述的I₀＝I₀’＞250uA。

3.如权利要求1所述的功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，其特征在于：所述的漏电流测试值I_t大于250uA,但小于强度测试电流Istress。

4.如权利要求1所述的功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，其特征在于：所述的强度测试电流Istress的值是根据产品的特性，抓取源漏之间的漏电流测试值I_t的特性波形曲线来获得。

5.如权利要求1所述的功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，其特征在于：所述的确定Stress测试的每一步测试时间Tstep，由于不同测试机台的Tstep各不相同，通过利用抓取BV测试波形的方法获取。

6.如权利要求1所述的功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，其特征在于：通过BV测试波形和耐久性测试获得的值来综合得出强度测试总时间为Tstress，即所述Tstress主要是通过波形获取软件和外挂实物示波器两者结合的方式去收集器件在测试过程中的测量值波形，然后分析波形去获得这个值。

7.如权利要求6所述的功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，其特征在于：通过所述的重复测试次数n和每一次步进测试时间Tstep，计算得出步进测试总时间Tt＝Tstep*n，且Tt＜Tstress。

8.如权利要求1～7项任一一项所述的功率MOS器件的源漏击穿电压测试方法，其特征在于：所述的测试均是在25℃环境下进行。