[发明专利]电子装置有效
申请号: | 202110259971.8 | 申请日: | 2021-03-10 |
公开(公告)号: | CN113035888B | 公开(公告)日: | 2023-06-02 |
发明(设计)人: | 王睦凯;黄国有;陈茂松 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G06F3/044;G09F9/30 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 傅磊;闫华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 装置 | ||
1.一种电子装置,包括:
基板;
多条栅极线,配置于所述基板上,且沿第一方向延伸;
多条数据线,配置于所述基板上,且沿第二方向延伸,其中所述第一方向与所述第二方向相交;
多个像素结构,阵列排列于所述基板上,每一所述像素结构被所述多条栅极线的相邻两条及所述多条数据线的相邻两条围绕且包括主动元件,其中沿所述第二方向排列在同一行的所述多个像素结构按序与不同侧的所述数据线电性连接;
栅极转接线,配置于所述基板上,且沿所述第二方向延伸,所述栅极转接线电性连接所述多条栅极线的其中一者,所述栅极转接线所在的膜层与所述多条数据线所在的膜层相同,且在所述电子装置的俯视图中,所述栅极转接线穿越所述多个像素结构的其中一者及与所述像素结构电性连接的所述数据线之间而于所述基板上构成一跨线区域;以及
转接结构,配置于所述基板上,且所述转接结构所在的膜层不同于所述栅极转接线及所述数据线所在的膜层,在所述跨线区域中,所述栅极转接线及所述数据线的其中一者通过所述转接结构或所述像素结构的所述主动元件而跨越所述栅极转接线及所述数据线的另一者,
其中在所述跨线区域中,所述数据线通过所述转接结构而跨越所述栅极转接线,
所述转接结构沿所述第一方向延伸,所述转接结构的两端分别连接所述数据线及所述像素结构的所述主动元件,且在所述电子装置的俯视图中,所述转接结构与所述栅极转接线相交。
2.如权利要求1所述的电子装置,其中所述像素结构的所述主动元件还包括:
纵向导线,配置于所述基板上,所述纵向导线的两端连接所述转接结构及所述主动元件,且在所述电子装置的俯视图中,所述栅极转接线位于所述数据线与所述纵向导线之间。
3.如权利要求2所述的电子装置,还包括:
第一绝缘层,覆盖所述栅极线,且具有第一通孔及第二通孔,在所述电子装置的俯视图中,所述第一通孔与所述数据线重叠,所述第二通孔与所述纵向导线重叠,其中所述第一通孔及所述第二通孔分别暴露出所述转接结构的一部分,所述数据线通过所述第一通孔连接至所述转接结构,所述转接结构通过所述第二通孔连接至所述纵向导线。
4.如权利要求1所述的电子装置,其中所述像素结构更具有像素电极,所述像素电极与所述数据线分别电性连接至所述主动元件的相对两侧上的漏极与源极,且
在所述电子装置的俯视图中,所述像素电极与所述栅极转接线相隔一距离。
5.如权利要求3所述的电子装置,还包括:
第二绝缘层,覆盖所述数据线及所述栅极转接线,且具有第三通孔,其中所述第三通孔暴露出所述主动元件的一部分,其中所述像素结构更具有像素电极,所述像素电极与所述数据线分别电性连接至所述主动元件的相对两侧上的漏极与源极,所述像素电极覆盖所述第三通孔的部分表面,以连接至所述主动元件。
6.如权利要求5所述的电子装置,其中所述第二绝缘层包括下部绝缘层以及上部绝缘层,所述下部绝缘层共形地设置于所述第一绝缘层上,所述上部绝缘层配置于所述下部绝缘层上。
7.如权利要求5所述的电子装置,其中所述第二绝缘层为单层结构。
8.如权利要求1所述的电子装置,还包括:
第三绝缘层,覆盖所述数据线及所述栅极转接线,所述第三绝缘层具有沟槽,所述沟槽沿所述第二方向延伸,且在所述电子装置的俯视图中,所述沟槽位于所述数据线与所述栅极转接线之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的