[发明专利]一种表征硅晶体中缺陷的方法

权利要求书

1.一种表征硅晶体中缺陷的方法，其特征在于，所述方法包括：

对硅晶体的表面进行蚀刻，以去除目标厚度的硅晶体；

对蚀刻后的所述硅晶体的水平表面进行光散射扫描，以得到所述水平表面的光散射颗粒扫描图、缺陷的光散射等效尺寸以及缺陷体密度；

根据所述水平表面的光散射颗粒扫描图、所述光散射等效尺寸和所述缺陷体密度确定所述硅晶体中存在的缺陷的类型和每种缺陷在所述水平表面上存在的缺陷区间；

其中，根据蚀刻出的缺陷数量和所述目标厚度计算所述缺陷体密度；

所述根据所述水平表面的光散射颗粒扫描图、所述光散射等效尺寸和所述缺陷体密度确定所述硅晶体中存在的缺陷的类型和每种缺陷在所述水平表面上存在的缺陷区间包括：

通过光散射颗粒扫描得到每个缺陷的光散射等效尺寸，根据所述光散射等效尺寸确定所述缺陷的类型；通过光散射颗粒扫描得到每个缺陷在所述水平表面的位置，进而得到沿半径分布的所述缺陷体密度；根据所述光散射等效尺寸确定的所述缺陷的类型以及每种缺陷类型所具有的所述缺陷体密度的特点划分出每种缺陷的缺陷区间，其中，每种缺陷具有特定数值范围的所述缺陷体密度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，对所述硅晶体的表面进行蚀刻包括：

对所述硅晶体的表面进行预处理，以去除所述硅晶体表面的氧化层；

对所述硅晶体表面进行蚀刻，蚀刻的气氛为七族氢化物，蚀刻的温度大于或等于700℃，蚀刻的气体流量为100sccm -1000sccm，蚀刻的时间为1s -1000s。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述光散射等效尺寸确定所述缺陷的类型包括：

在表征之前建立所述光散射等效尺寸与所述缺陷类型之间的对应关系；

在表征时通过光散射颗粒扫描获取样本的光散射等效尺寸之后，根据所述光散射等效尺寸和所述对应关系，确定样本中存在的缺陷的类型。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述硅晶体的不同厚度处，每种缺陷具有的所述缺陷体密度的特定数值范围不同，所述方法还包括获取所述硅晶体的不同厚度处每种缺陷具有的所述缺陷体密度的特定数值范围。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，根据所述缺陷的类型以及每种缺陷类型所具有的所述缺陷体密度的特点结合缺陷相邻规律划分出每种缺陷的缺陷区间。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缺陷的类型包括孔洞、氧沉淀、自间隙原子聚集缺陷和错位缺陷。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述缺陷区间包括空位聚集区、氧化诱生层错区、纯净空位区、纯净自间隙原子区和自间隙原子聚集区。