[发明专利]光学芯片及其生产方法

权利要求书

1.一种光学芯片，其特征在于，包括：衬底层、一对转轴和微镜；所述微镜通过一对所述转轴被锚定在所述衬底层上，一对所述转轴分布在所述微镜的两侧；其中，在外加电场或磁场的作用下，所述微镜发生转动，一对所述转轴向远离所述衬底层的方向发生弯曲从而形成拱形。

2.一种光学芯片，其特征在于，包括：衬底层、一对转轴和微镜；所述微镜通过一对所述转轴被锚定在所述衬底层上，一对所述转轴分布在所述微镜的两侧；其中，在外加电场或磁场的作用下，所述微镜发生转动，一对所述转轴向远离所述衬底层的方向发生弯曲从而形成拱形，一对所述转轴通过生长在所述转轴上的压应力物质而形成拱形。

3.一种光学芯片，其特征在于，包括：衬底层、一对转轴和微镜；所述微镜通过一对所述转轴被锚定在所述衬底层上，一对所述转轴分布在所述微镜的两侧；其中，在外加电场或磁场的作用下，所述微镜发生转动，一对所述转轴向远离所述衬底层的方向发生弯曲从而形成拱形，一对所述转轴通过所述芯片的整体变形而形成拱形。

4.一种光学芯片，其特征在于，包括：衬底层、一对转轴和微镜；所述微镜通过一对所述转轴被锚定在所述衬底层上，一对所述转轴分布在所述微镜的两侧；其中，在外加电场或磁场的作用下，所述微镜发生转动，一对所述转轴向远离所述衬底层的方向发生弯曲从而形成拱形，一对所述转轴通过生长在所述转轴上的压应力物质和通过所述芯片的整体变形而形成拱形。

5.一种光学芯片的生产方法，其中，所述光学芯片包括衬底层、一对转轴和微镜；所述微镜通过一对所述转轴被锚定在所述衬底层上，一对所述转轴分布在所述微镜的两侧；其中，在外加电场或磁场的作用下，所述微镜发生转动，一对所述转轴向远离所述衬底层的方向发生弯曲从而形成拱形，其特征在于，包括以下步骤：利用低气压气相化学沉积在SOI硅片上生长一层多晶硅，所述SOI硅片包括依次从下到上的衬底层、绝缘层和器件层，所述多晶硅具有压应力；去除和所述衬底层相邻的一层多晶硅；用光刻胶做掩膜，通过干法刻蚀，除去和所述器件层相邻的大部分多晶硅，只保留和转轴对应区域的多晶硅；刻蚀出轴和微镜，掏空所述转轴和所述微镜下面的绝缘层，使所述转轴和所述微镜悬空。

6.如权利要求5所述的光学芯片的生产方法，其特征在于，所述绝缘层是二氧化硅时，用氢氟酸去除转轴和微镜下面的绝缘层，使转轴和微镜悬空。

7.如权利要求5所述的光学芯片的生产方法，其特征在于，所述绝缘层是有机材料时，通过氧气的等离子体或有机溶液来掏空轴和微镜下面的绝缘层，使转轴和微镜悬空。

8.如权利要求5所述的光学芯片的生产方法，其特征在于，所述转轴和微镜之间通过柔性连接，所述柔性连接采用和转轴垂直的梁来连接所述转轴和所述微镜。

9.一种光学芯片的生产方法，其中，所述光学芯片包括衬底层、一对转轴和微镜；所述微镜通过一对所述转轴被锚定在所述衬底层上，一对所述转轴分布在所述微镜的两侧；其中，在外加电场或磁场的作用下，所述微镜发生转动，一对所述转轴向远离所述衬底层的方向发生弯曲从而形成拱形，其特征在于，包括以下步骤：利用低气压气相化学沉积在SOI硅片上生长一层多晶硅，所述SOI硅片包括依次从下到上的衬底层、绝缘层和器件层，所述多晶硅具有张应力；去除和所述衬底层相邻的一层多晶硅；除去转轴和微镜对应区域的多晶硅，保留所述器件层相邻的大部分多晶硅；然后刻蚀出轴和微镜；掏空所述转轴和所述微镜下面的绝缘层，使所述转轴和所述微镜悬空。

10.一种光学芯片的生产方法，其中，所述光学芯片包括衬底层、一对转轴和微镜；所述微镜通过一对所述转轴被锚定在所述衬底层上，一对所述转轴分布在所述微镜的两侧；其中，在外加电场或磁场的作用下，所述微镜发生转动，一对所述转轴向远离所述衬底层的方向发生弯曲从而形成拱形，其特征在于，包括以下步骤：利用低气压气相化学沉积在SOI硅片上生长一层多晶硅，所述SOI硅片包括依次从下到上的衬底层、绝缘层和器件层，所述多晶硅具有压应力；去除和所述器件层相邻的一层多晶硅，保留和所述衬底层相邻的一层多晶硅；刻蚀出轴和微镜；掏空所述转轴和所述微镜下面的绝缘层，使所述转轴和所述微镜悬空。