[发明专利]一种倒装红外发光二极管及其制备方法

权利要求书

1.一种倒装红外发光二极管，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底一侧的电流扩展层；所述电流扩展层包括铝镓铟磷层；

位于所述电流扩展层背离所述衬底一侧的第一过渡层；

位于所述第一过渡层背离所述衬底一侧的外延层，所述外延层包括靠近所述第一过渡层的第一掺杂类型限制层；

所述第一过渡层的铝组分大于所述电流扩展层中的铝组分，且小于所述第一掺杂类型限制层中的铝组分。

2.根据权利要求1所述的倒装红外发光二极管，其特征在于，所述第一过渡层包括第一掺杂类型的铝镓砷层。

3.根据权利要求2所述的倒装红外发光二极管，其特征在于，所述第一过渡层的厚度的取值范围为0.01～0.1μm。

4.根据权利要求2所述的倒装红外发光二极管，其特征在于，所述第一过渡层的载流子浓度的取值范围为1×10¹⁸/cm³～5×10¹⁸/cm³。

5.根据权利要求1所述的倒装红外发光二极管，其特征在于，还包括：缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层和电极稳固层；

所述缓冲层、腐蚀截止层、欧姆接触层和电极稳固层均位于所述衬底与所述电流扩展层之间，并自所述衬底表面依次层叠设置。

6.根据权利要求1所述的倒装红外发光二极管，其特征在于，所述外延层还包括：

位于所述第一掺杂类型限制层背离所述衬底一侧的多量子阱；

位于所述多量子阱背离所述衬底一侧的第二掺杂类型限制层；

位于所述第二掺杂类型限制层背离所述衬底一侧的窗口层；

位于所述窗口层背离所述衬底一侧的第二过渡层；

位于所述第二过渡层背离所述衬底一侧的磷化镓层。

7.一种倒装红外发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底一侧制备电流扩展层，所述电流扩展层包括铝镓铟磷层；

在所述电流扩展层背离所述衬底一侧制备第一过渡层；

在所述第一过渡层背离所述衬底一侧制备外延层，所述外延层包括靠近所述第一过渡层的第一掺杂类型限制层；

所述第一过渡层的铝组分大于所述电流扩展层中的铝组分，且小于所述第一掺杂类型限制层中的铝组分。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述第一过渡层包括第一掺杂类型的铝镓砷层。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一过渡层的厚度的取值范围为0.01～0.1μm。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述第一过渡层的载流子浓度的取值范围为1×10¹⁸/cm³～5×10¹⁸/cm³。