[发明专利]主辅合金系钕铁硼磁体材料及其制备方法

权利要求书

1.一种主辅合金系钕铁硼磁体材料的原料组合物，其包括主合金原料和辅合金原料；其中，所述主合金原料包括以下组分：轻稀土元素LR，10.0～33.0mas％；LR选自Y、La、Ce、Pr、Nd的一种或多种；重稀土元素HR，0～20.0mas％；HR选自Gd、Dy、Tb和Ho中的一种或多种；M，0.1～5.0mas％；M选自Co、Cu、Al和Ga中的一种或多种；X，0.05～0.7mas％；X选自Zr、Ti和Nb中的一种或多种；B，0.94～1.1mas％；余量为Fe；其中，mas％是指组分在所述主合金原料中的质量百分比；

所述辅合金原料包括以下组分：轻稀土元素LR，0～30.0mas％；LR为Nd和/或Pr；重稀土元素HR，1～80mas％；HR为Dy和/或Tb；M，5.0～20.0mas％；M选自Co、Cu、Al和Ga中的一种或多种；X，3.0～12.0mas％；X选自Ti、Zr、Hf、Nb、W和Ta中的一种或多种；B，0～0.6mas％；余量为Fe；其中，mas％是指组分在所述辅合金原料中的质量百分比；

所述辅合金原料在所述主辅合金系钕铁硼磁体材料的原料组合物中的质量百分比为1.0～15.0mas％。

2.如权利要求1所述的主辅合金系钕铁硼磁体材料的原料组合物，其特征在于，所述主合金原料中总稀土含量TRE为26.0～40.0mas％，较佳地为29.0～32.0mas％，例如29.5mas％、30.5mas％或31.5mas％，mas％是指组分在所述主合金原料中的质量百分比；

和/或，所述主合金原料中，所述LR的含量为25.0～30.0mas％，例如25.2mas％、29.5mas％或30mas％，mas％是指组分在所述主合金原料中的质量百分比；

和/或，所述主合金原料中，当所述LR包含Nd时，所述Nd的含量为18.9～22.5mas％，例如22.125mas％；当所述LR包含Pr时，所述Pr的含量为6.0～7.5mas％，例如6.3mas％或7.375mas％；其中，mas％是指组分在所述主合金原料中的质量百分比；

和/或，所述主合金原料中，所述LR包含Nd和Pr；更佳地，所述Nd的含量为22.125mas％，所述Pr的含量为7.375mas％；或者，所述Nd的含量为22.5mas％，所述Pr的含量为7.5mas％；或者，所述Nd的含量为18.9mas％，所述Pr的含量为6.3mas％；其中，mas％是指组分在所述主合金原料中的质量百分比；

和/或，所述主合金原料中，所述HR的含量为1.0～10.0mas％，例如1.5mas％或5.3mas％，mas％是指组分在所述主合金原料中的质量百分比；

和/或，所述主合金原料中，当所述HR包含Dy时，所述Dy的含量为1.0～5.0mas％，例如1.5mas％或4.3mas％；较佳地，所述主合金原料中，所述HR为Dy；所述Dy的含量较佳地为1.5mas％；当所述HR包含Ho时，所述Ho的含量为0.5～2.0mas％，例如1.0mas％；其中，mas％是指组分在所述主合金原料中的质量百分比；

和/或，所述主合金原料中，所述HR包含Dy和Ho；其中，所述Dy的含量较佳地为4.3mas％，所述Ho的含量较佳地为1.0mas％，mas％是指组分在所述主合金原料中的质量百分比；

和/或，所述主合金原料中，所述M的含量为0.5～2.0mas％，例如0.88mas％、1.5mas％或1.65mas％，mas％是指组分在所述主合金原料中的质量百分比；

和/或，所述主合金原料中，当所述M包含Ga时，所述Ga的含量为0.2～0.4mas％，例如0.25mas％；当所述M包含Al时，所述Al的含量为0.01～0.1mas％，例如0.03mas％；当所述M包含Cu时，所述Cu的含量为0.1～0.25mas％，例如0.15mas％；当所述M包含Co时，所述Co的含量为0.5～1.0mas％；其中，mas％是指组分在所述主合金原料中的质量百分比；

和/或，所述主合金原料中，所述M包含Ga、Al、Cu和Co；其中，所述Ga的含量较佳地为0.25mas％，所述Al的含量较佳地为0.03mas％，所述Cu的含量较佳地为0.1mas％，所述Co的含量较佳地为0.5mas％，mas％是指组分在所述主合金原料中的质量百分比；

和/或，所述主合金原料中，所述X的含量为0.1～0.35mas％，例如0.11mas％或0.15mas％，mas％是指组分在所述主合金原料中的质量百分比；

和/或，所述主合金原料中，所述X为Zr或Ti；

和/或，所述主合金原料中，所述B的含量为0.97～0.99mas％，例如0.98mas％，mas％是指组分在所述主合金原料中的质量百分比。