[发明专利]基板处理装置和清洁方法在审
申请号: | 202110261355.6 | 申请日: | 2021-03-10 |
公开(公告)号: | CN113496914A | 公开(公告)日: | 2021-10-12 |
发明(设计)人: | 菱屋晋吾;孙成德 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/54 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 清洁 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其中,
该基板处理装置具有:
处理容器,其容纳基板;
喷射器,其包括第1连接口和第2连接口,内部与所述处理容器内连通;
排气管,其供所述处理容器内排气;
原料气体导入管,其与所述第1连接口连接,向所述喷射器内导入原料气体;
清洁气体导入管,其经由所述第1连接口和所述第2连接口中的一者向所述喷射器内导入清洁气体;以及
通气管,其连接所述第1连接口和所述第2连接口中的另一者与所述排气管,供所述喷射器内排气。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述清洁气体导入管构成为经由所述第1连接口向所述喷射器内导入所述清洁气体,
所述通气管与所述第2连接口连接。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其中,
所述清洁气体导入管构成为经由所述第2连接口向所述喷射器内导入所述清洁气体,
所述通气管与所述第1连接口连接。
4.根据权利要求1~3中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述喷射器包括与所述处理容器内连通的多个气体喷出孔。
5.根据权利要求1~4中任一项所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置构成为在所述清洁气体导入管中导入稀释气体。
6.根据权利要求1~5中任一项所述的基板处理装置,其中,
所述处理容器具有纵长的大致圆筒形状,
所述喷射器具有:
第1气体管,其包括所述第1连接口,该第1气体管在所述处理容器内沿着该处理容器的长度方向设置,并且具有沿着该长度方向形成的多个气体喷出孔;
第2气体管,其包括所述第2连接口,该第2气体管在所述处理容器内沿着该处理容器的长度方向设置;以及
连接管,其使所述第1气体管内与所述第2气体管内连通。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置还具有:
第1阀,其设于所述清洁气体导入管;
第2阀,其设于所述通气管;以及
控制部,其控制所述第1阀和所述第2阀的开闭,
所述控制部构成为:以在向所述喷射器内导入清洁气体的情况下在打开所述第2阀后打开所述第1阀的方式控制所述第1阀和所述第2阀。
8.根据权利要求7所述的基板处理装置,其中,
该基板处理装置还具有设于所述排气管的第3阀,
所述控制部构成为:以在关闭所述第3阀的状态下打开所述第1阀和所述第2阀的方式控制所述第1阀、所述第2阀以及所述第3阀。
9.一种清洁方法,其是用于清洁向处理容器内供给原料气体的喷射器内的方法,其中,
该清洁方法依次执行如下步骤:
不向所述喷射器内导入清洁气体而从所述喷射器的一端使该喷射器内排气;以及
一边从所述一端使所述喷射器内排气一边从所述喷射器的另一端向该喷射器内导入清洁气体。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社,未经东京毅力科创株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110261355.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造