[发明专利]一种SiO2

权利要求书

1.一种SiO₂系高频低介低温共烧陶瓷材料，其特征在于，由以下重量百分比的组分构成：30％-50％的硼硅酸盐玻璃、30％-55％的SiO₂、1％-15％的析晶控制添加剂；上述组分的总和为100％；所述的析晶控制添加剂选自ZBS玻璃粉、ZrO₂、TiO₂、Y₂O₃、AlN、结晶SiO₂中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的一种SiO₂系高频低介低温共烧陶瓷材料，其特征在于，由以下重量百分比的组分构成：30％-50％的硼硅酸盐玻璃、30％-55％的SiO₂、3％-15％的析晶控制添加剂；上述组分的总和为100％；所述的析晶控制添加剂为ZrO₂、TiO₂、Y₂O₃、AlN、结晶SiO₂中的至少一种以及ZBS玻璃粉，且ZBS玻璃粉的重量百分比不低于3％。

3.根据权利要求1所述的一种SiO₂系高频低介低温共烧陶瓷材料，其特征在于，由以下重量百分比的组分构成：30％-50％的硼硅酸盐玻璃、30％-55％的SiO₂、0.5％-15％的析晶控制添加剂；上述组分的总和为100％；所述的析晶控制添加剂为ZBS玻璃粉、ZrO₂、Y₂O₃、AlN、结晶SiO2中的至少一种以及TiO₂，且TiO₂的重量百分比为0.5％-4％。

4.根据权利要求1～3任一所述的一种SiO₂系高频低介低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述的硼硅酸盐玻璃由以下重量百分比的组分构成：60％-80％的SiO₂，10％-30％的B₂O₃，1％-5％的Al₂O₃和1-12％的碱金属氧化物R₂O，上述组分的总和为100％；其中R为K、Na、Li中的至少一种。

5.根据权利要求1～3任一所述的SiO₂系高频低介低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述的ZBS玻璃包含以下重量百分比的组分：7-30％的SiO₂，20-60％的B₂O₃，40-70％的ZnO，上述组分的总和为100％。

6.根据权利要求1～3任一所述的SiO₂系高频低介低温共烧陶瓷材料，其特征在于，所述的SiO₂为无定型SiO₂。

7.根据权利要求1所述的一种SiO₂系高频低介低温共烧陶瓷材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)硼硅酸盐玻璃、ZBS玻璃制备

按质量百分比：60％-80％的SiO₂，10％-30％的B₂O₃，1％-5％的Al₂O₃，1-12％的碱金属氧化物R₂O，称取SiO₂、H₃BO₃、Al₂O₃、Li₂CO₃或者Na₂CO₃或者K₂CO₃，将上述组分以无水乙醇作为介质通过湿法球磨4-8h，然后烘干，将上述原料粉装入铂金坩埚内，加热到1400-1550℃熔融，保温0.5-2h后倒入水中淬冷，将得到的玻璃渣进行球磨粉碎，经烘干后得到粒度D50为1.0～3.0μm的硼硅酸盐玻璃粉体；

按质量百分比：7-30％的SiO₂，20-60％的B₂O₃，40-70％的ZnO，称取SiO₂、H₃BO₃、ZnO，将上述组分以无水乙醇作为介质通过湿法球磨4-8h，然后烘干，将上述原料粉装入铂金坩埚内，加热到1050-1300℃熔融，保温0.5-2h后倒入水中淬冷，将得到的玻璃渣进行球磨粉碎，经烘干后得到粒度D50为1.0～3.0μm的ZBS玻璃粉体；

2)将质量百分比为30％-50％的硼硅酸盐玻璃、30％-55％的SiO₂、1％-15％的析晶控制添加剂混合，以乙醇作为溶剂，球磨15-20h后烘干，得到低温共烧陶瓷粉；

3)将烘干的低温共烧陶瓷粉加入20％-30％的PVA粘结剂进行造粒并干压成型成直径20mm，高度10-12mm的圆块样品，在840-900℃烧结，保温15-60min，即得到SiO₂系高频低介低温共烧陶瓷材料。