[发明专利]一种低熔点靶材的绑定方法在审

专利信息
申请号: 202110262375.5 申请日: 2021-03-10
公开(公告)号: CN113088898A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 梁振耀;黄宇彬;毛远兴;童培云;朱刘 申请(专利权)人: 先导薄膜材料(广东)有限公司
主分类号: C23C14/34 分类号: C23C14/34
代理公司: 广州三环专利商标代理有限公司 44202 代理人: 颜希文
地址: 511517 广东省清*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 熔点 绑定 方法
【说明书】:

发明公开了一种低熔点靶材的绑定方法,包括以下步骤:(1)待绑定的靶胚与背板进行预处理;(2)在所述预处理后的背板的绑定面上形成石墨导电胶层,并在绑定面的绑定区域边缘布设铜丝或在绑定区域布设铜网;(3)将预处理后的靶胚叠放在步骤(2)所得背板的绑定面上并定位;(4)对靶胚表面设置施压物进行施压;(5)在保持施压的条件下使石墨导电胶层固化,即得绑定后的靶材。本发明采用石墨导电胶作为绑定物质,有效地解决了铋与铟反应的问题,且绑定牢固,焊合率符合行业标准。并且相比用铟绑定靶材,石墨导电胶的成本低于铟60%,且在制备过程中,相对铟的使用温度降低了30%,降低了功耗,节省了时间,提高了效率。

技术领域

本发明涉及一种靶材的加工方法,具体涉及一种低熔点靶材的绑定方法。

背景技术

在现有的平面靶材绑定工艺中,背板与靶胚绑定的物质通常为铟、锡、锡银等,现有的ITO绑定技术,是将ITO与背板进行加热到200℃左右,铟溶液涂布在所述的ITO与背板绑定面上,然后将两个涂布面贴合,然后在ITO表面增加重物,确保绑定后的靶材不偏移,保证尺寸在合格的范围内。但是铋金属熔点低,在160-200℃用铟绑定会发生分子结晶化学反应,铋与铟会熔化,焊合率低。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种低熔点靶材的绑定方法。

为实现上述目的,本发明采取的技术方案为:一种低熔点靶材的绑定方法,包括以下步骤:

(1)待绑定的靶胚与背板进行预处理,得预处理后的靶胚和背板;

(2)在所述预处理后的背板的绑定面上形成石墨导电胶层,并在绑定面的绑定区域边缘布设铜丝或在绑定区域布设铜网;

(3)将预处理后的靶胚叠放在步骤(2)所得背板的绑定面上并定位;

(4)对靶胚表面设置施压物进行施压;

(5)在保持施压的条件下使石墨导电胶层固化,即得绑定后的靶材。

关于低熔点靶材,以金属铋举例,当温度达到150-200℃,用铟绑定会发生分子结晶化学反应,铋与铟会熔化,导致绑定失败;对比用导电银浆绑定,银浆绑定正常,其电阻率与石墨导电胶绑定相差不大,但造价成本比石墨导电胶高60%。本发明采用石墨导电胶作为绑定物质,有效地解决了铋与铟反应的问题,且绑定牢固,焊合率符合行业标准。相比用铟绑定靶材,石墨导电胶的成本低于铟60%,且在制备过程中,相对铟的使用温度降低了30%,换言之就是降低了功耗。在工人操作过程中,石墨导电胶涂布时间比铟涂布时间降低了80%,减少了涂布时的劳作时间,避免长时间接触高温区域,增强了使用舒适度。

作为本发明所述低熔点靶材的绑定方法的优选实施方式,步骤(1)中,所述预处理包括:a.清洁绑定的靶胚与背板;b.在靶胚与背板的非绑定区域上覆盖耐高温胶布。所述清洁优选采用酒精进行清洁,确保其表面干燥、无氧化现象。耐高温胶布粘贴在靶胚与背板非绑定区域,可以避免导电石墨胶渗至非绑定区域上,要求耐高温胶布粘贴平整无气泡,防止涂布石墨胶时,石墨胶渗入非绑定区域。

作为本发明所述低熔点靶材的绑定方法的优选实施方式,步骤(2)中,所述靶胚与背板的绑定面的Ra均在1.6微米以上。表面粗糙度过低会影响绑定粘结性与使用效果,绑定面的粗糙度在1.6微米以上时可以保证在绑定时得到更好的粘结效果。

作为本发明所述低熔点靶材的绑定方法的优选实施方式,步骤(2)中,所述石墨导电胶层的厚度为0.2~0.4mm。石墨导电胶层的厚度对粘接强度和使用效果影响较大,当涂覆的石墨导电胶层的厚度为0.2~0.4mm时,粘接效果更好,更优选为0.3mm。

作为本发明所述低熔点靶材的绑定方法的优选实施方式,步骤(2)中,所述铜丝的直径为0.2~0.4mm,所述铜网的厚度为0.2~0.4mm。优选为0.3mm,目的是确保石墨导电胶层的均匀性,且防止绑定施压时石墨导电胶溢出。

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