[发明专利]减反膜系、光学元件和制备膜系的方法

权利要求书

1.一种减反膜系，其特征在于，包括：

基底层(10)；

过渡层(20)，所述过渡层(20)与所述基底层(10)连接，所述过渡层(20)包括至少一个第一膜层(21)和至少一个第二膜层(22)，所述第一膜层(21)和所述第二膜层(22)为多个时，多个所述第一膜层(21)和多个所述第二膜层(22)交替叠置，所述第一膜层(21)的折射率大于所述第二膜层(22)的折射率，所述第一膜层(21)的厚度大于5纳米且小于等于20纳米，所述第二膜层(22)的厚度80纳米且小于等于150纳米；

微结构层(30)，所述微结构层(30)设置在所述过渡层(20)的一侧表面且所述微结构层(30)与所述第二膜层(22)连接；

所述微结构层(30)各处的折射率相同，所述微结构层(30)的折射率大于等于1且小于等于1.25；

其中，所述减反膜系对波长在400nm至1050nm范围内的光的最大反射率小于等于1％。

2.根据权利要求1所述的减反膜系，其特征在于，所述第一膜层(21)的折射率大于等于2且小于等于4。

3.根据权利要求1所述的减反膜系，其特征在于，所述第二膜层(22)的折射率大于等于1.35且小于等于1.7。

4.根据权利要求1所述的减反膜系，其特征在于，所述基底层(10)的折射率大于等于1.5且小于等于1.7。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的减反膜系，其特征在于，所述第一膜层(21)的材料包括Ti的氧化物、Nb₂O₅和Ta₂O₅中的至少一种。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的减反膜系，其特征在于，所述第二膜层(22)的材料包括SiO₂、MgF₂、Al₂O₃中的至少一种。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的减反膜系，其特征在于，所述基底层(10)的材料包括EP、APEL、Zeonex、PMMA中的至少一种。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的减反膜系，其特征在于，所述微结构层(30)的材料为氧化铝。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的减反膜系，其特征在于，所述微结构层(30)的表面具有柱状的微结构。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的减反膜系，其特征在于，所述减反膜系对波长在420nm至780nm范围内的光的最大反射率小于等于0.2％。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的减反膜系，其特征在于，所述减反膜系对波长在420nm至780nm范围内的光的平均反射率小于等于0.1％。

12.根据权利要求1至4中任一项所述的减反膜系，其特征在于，所述减反膜系对波长在400nm至1050nm范围内的光的平均反射率小于等于0.3％。

13.根据权利要求1至4中任一项所述的减反膜系，其特征在于，所述过渡层(20)仅包括一个所述第一膜层(21)和一个所述第二膜层(22)，所述第一膜层(21)、所述第二膜层(22)和所述微结构层(30)的厚度的比值为4:110:130。

14.一种光学元件，其特征在于，包括：

权利要求1至13中任一项所述的减反膜系；

本体，所述减反膜系至少设置在所述本体的至少一侧表面上。