[发明专利]一种MEMS器件复合金属牺牲层的制备方法在审
| 申请号： | 202110262903.7 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113104806A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 徐亚新;赵飞;梁广华;刘晓兰;庄治学;龚孟磊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十四研究所 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 河北东尚律师事务所 13124 | 代理人： | 王文庆 |
| 地址： | 050081 河北省石家庄*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 复合 金属 牺牲 制备 方法 | ||
1.一种MEMS器件复合金属牺牲层的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将需要做牺牲层的MEMS基板进行金属膜层的溅射，其中溅射金属的种类与MEMS基板上底层金属的种类不同，溅射膜层厚度与MEMS基板上底层金属图形的厚度相同；
(2)在步骤(1)处理后的MEMS基板表面旋涂光刻胶，通过曝光和显影，使光刻胶覆盖悬浮结构下的非底层金属区域，其他区域的溅射膜层裸露出来；
(3)将步骤(2)处理后的MEMS基板去除裸露的步骤1溅射的金属膜层，刻蚀干净后将MEMS基板进行去离子水喷淋清洗，并氮气吹干，再去除MEMS基板表面的光刻胶，完成第一层牺牲层制备，实现底层金属平坦化填充层；
(4)将步骤(3)处理后的MEMS基板进行金属膜层的溅射，其中溅射金属的种类与MEMS基板上底层金属的种类不同，溅射膜层厚度为MEMS器件中触点的间隙距离；
(5)在步骤(4)处理后的MEMS基板表面旋涂光刻胶，通过曝光和显影裸露出悬浮结构锚区的金属膜层，悬浮结构区域的溅射膜层实现光刻胶覆盖；
(6)将步骤(5)处理后的MEMS基板去除裸露的步骤4溅射的金属膜层，刻蚀干净后将MEMS基板取出进行去离子水喷淋清洗，并氮气吹干，再去除MEMS基板表面的光刻胶，完成第二层牺牲层制备；
(7)将步骤(6)处理后的MEMS基板进行金属膜层的溅射，其中溅射金属种类与步骤4的金属膜层种类不同，溅射膜层厚度为悬浮结构中触点的高度；
(8)在步骤(7)处理后的MEMS基板表面旋涂光刻胶，通过曝光和显影裸露出悬浮结构锚区和触点区域的金属膜层，悬浮结构区域的溅射膜层实现光刻胶覆盖；
(9)将步骤(8)处理后的MEMS基板去除裸露的步骤7溅射的金属膜层，刻蚀干净后将MEMS基板进行去离子水喷淋清洗，并氮气吹干，再去除MEMS基板表面的光刻胶，完成第三层牺牲层制备；
完成MEMS器件复合金属牺牲层的制备。
2.根据权利要求1所述的一种MEMS器件复合金属牺牲层制备方法，其特征在于，第一层牺牲层所用的金属是钛、是铜或铝；第二层牺牲层所用的金属是铜、镍或铝；第三层牺牲层所用的金属是钛、铬或铝。
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