[发明专利]一种碳纳米梨状结构材料的制备方法在审
| 申请号： | 202110264192.7 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN112897508A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 戴贵平;李梦超;汪晨;侯佩佩 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | C01B32/15 | 分类号： | C01B32/15 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 结构 材料 制备 方法 | ||
1.一种碳纳米梨状结构材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)制备镀有镍膜的硅基底放入石英舟中，再将石英舟放入CVD管式炉内；
(2)常温下，通入未经过生长促进剂与碳源混合溶液的缓冲气体至CVD管式炉内，去除CVD管式炉内空气；
(3)将去除了空气的CVD管式炉在通入未经过生长促进剂与碳源混合溶液的缓冲气体的气氛中，从室温快速升温至1080℃，升温时间38min内，再从1080℃升温至1100℃，升温时间2min内；
(4)维持CVD管式炉在1100℃和通入未经过生长促进剂与碳源混合溶液的缓冲气体的气氛中，同时通入20-40sccm经过生长促进剂与碳源混合溶液的缓冲气体，在石英舟上沉积30-50min碳纳米梨状结构材料；
(5)停止通入经过生长促进剂与碳源混合溶液的缓冲气体，在通入未经过生长促进剂与碳源混合溶液的缓冲气体的气氛中，将CVD管式炉从1100℃冷却至室温；
其中，所述碳源为含碳的有机分子，所述生长促进剂为含硫生长促进剂，所述缓冲气体为氢气，氩气、氮气中的一种或几种混合气体。
2.根据权利要求1所述的一种碳纳米梨状结构材料的制备方法，其特征在于，所述缓冲气体为高纯度氢气。
3.根据权利要求1所述的一种碳纳米梨状结构材料的制备方法，其特征在于，所述通入未经过生长促进剂与碳源混合溶液的缓冲气体的流量为20-80sccm。
4.根据权利要求1所述的一种碳纳米梨状结构材料的制备方法，其特征在于，所述含碳的有机分子为苯，所述含硫生长促进剂为噻吩。
5.根据权利要求4所述的一种碳纳米梨状结构材料的制备方法，其特征在于，所述噻吩与所述苯的体积比为1:1000。
6.根据权利要求1所述的一种碳纳米梨状结构材料的制备方法，其特征在于，步骤(1)中利用磁控溅射法制备所述镀有镍膜的硅基底，制备步骤为：硅基底经过氢氟酸清洗后，放入乙醇中超声震荡清洗15min后，放入磁控溅射仪内，镍靶被固定在溅射室10W直流功率溅射源上，磁控溅射仪内样品台以20r/min运转，在550℃和20mTorr氩气的气氛下，制得镀有2.5nm厚镍薄膜的硅基底。
7.根据权利要求1所述的一种碳纳米梨状结构材料的制备方法，其特征在于，步骤(4)通入经过生长促进剂与碳源混合溶液的缓冲气体的流量为20sccm，在石英舟上沉积50min碳纳米梨状结构材料。
8.根据权利要求1所述的一种碳纳米梨状结构材料的制备方法，其特征在于，步骤(5)中CVD管式炉在2h内从1100℃冷却至室温。
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