[发明专利]一种六方晶系的RhO2

权利要求书

1.一种RhO₂晶体，其特征在于，所述RhO₂晶体属于六方晶系，空间群为P6₃/mmc(No.194)，其晶格常数为

2.根据权利要求1所述的晶体，其特征在于，所述晶体在高温下表现为金属行为，在100-150K出现金属绝缘体转变，低于该温度表现绝缘体行为，同时在2-300K时，沿(001)晶面方向呈现反铁磁性。

3.根据权利要求1所述的晶体，其特征在于，根据Mott(莫特)跳跃电导理论，其公式为：ρ(T)＝Aexp(1/T^1/4)，其中，ρ(T)为在温度为T时的电阻率，A是常数；T为温度(以K计)；

根据Mott跳跃电导理论，通过电阻温度依赖测试分析表明，所述晶体出现的金属绝缘体转变是由电子关联和自旋轨道耦合共同导致的一种Mott转变，即所述RhO₂晶体是一种莫特绝缘体。

4.根据权利要求1所述的晶体，其特征在于，所述RhO₂晶体为单晶体，所述RhO₂单晶体的至少一个维度的尺寸达毫米级。

优选地，所述RhO₂单晶体的至少一个维度的尺寸为1mm以上，优选为1-4mm。

5.根据权利要求1所述的晶体，其特征在于，所述单晶体呈片状，为淡黄色，XRD衍射峰尖锐，半峰宽很窄，具有优良的单晶质量。

6.根据权利要求1-5任一项所述的晶体，其特征在于，所述RhO₂晶体具有基本上如图1b，或图2b，或图3b所示的EDS图谱。

优选地，所述RhO₂晶体具有基本上如图1c，或图2c，或图3c所示的XRD图谱。

7.权利要求1-6任一项所述的RhO₂晶体的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：将A_xRhO₂在去离子水中加热制备RhO₂晶体；

其中，A选自K，Rb，Cs中的一种；x选自0.2-0.9之间的数，优选为0.4-0.8。

优选地，A为Cs。

8.根据权利要求1所述的晶体，其特征在于，所述A_xRhO₂与去离子水的质量体积比为30-100mg/L，优选为50mg/L。

9.根据权利要求1所述的晶体，其特征在于，加热温度为30-100℃，优选为60-90℃。

10.权利要求1-9任一项所述的RhO₂晶体的应用，其特征在于，应用于电子元器件中，优选地，用于温敏传感器或者开关；

优选地，应用于低能耗的电子元件以及电子逻辑元件中。