[发明专利]曝光装置和曝光方法

权利要求书

1.一种曝光装置，其特征在于，

该曝光装置具有：

光调制元件阵列，其是将多个光调制元件二维排列而得到的；

扫描部，其使所述光调制元件阵列的曝光区相对于在表面形成有光致抗蚀剂层的曝光对象物沿着主扫描方向相对移动；以及

曝光控制部，其对所述光调制元件阵列和所述扫描部进行控制，以在主扫描方向上以规定的曝光间隔对所述曝光对象物进行多重曝光，

所述曝光控制部隔开规定的时间间隔而多次进行未完成多重曝光，该未完成多重曝光是指在1次扫描中累积曝光量不超过所述光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂的曝光感光度。

2.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，

所述曝光控制部以相同的图案多次对规定的曝光对象部位进行未完成多重曝光。

3.根据权利要求2所述的曝光装置，其特征在于，

所述曝光控制部使得在相同方向上进行扫描而多次对规定的曝光对象部位进行未完成多重曝光。

4.根据权利要求3所述的曝光装置，其特征在于，

所述曝光控制部对所述光调制元件阵列进行控制使得按照相同的动作控制顺序来调制多个光调制元件，而对规定的曝光对象部位进行各扫描的未完成多重曝光。

5.根据权利要求1所述的曝光装置，其特征在于，

所述曝光装置具有多个光调制元件阵列，

所述扫描部使各光调制元件阵列的曝光区进行在去路和回路中通过不同的扫描带的往复扫描。

6.根据权利要求1至5中的任意一项所述的曝光装置，其特征在于，

所述曝光控制部调整未完成多重曝光的1次的曝光时间或扫描速度而对规定的曝光对象部位仅进行超过所述光致抗蚀剂的曝光感光度的次数的未完成多重曝光。

7.根据权利要求1至5中的任意一项所述的曝光装置，其特征在于，

所述曝光控制部调整未完成多重曝光的1次曝光时的照度而对规定的曝光对象部位仅进行超过所述光致抗蚀剂的曝光感光度的次数的未完成多重曝光。

8.一种曝光装置，其特征在于，

该曝光装置具有：

光调制元件阵列，其是将多个光调制元件二维排列而得到的；

扫描部，其使所述光调制元件阵列的曝光区相对于在表面形成有光致抗蚀剂层的曝光对象物沿着主扫描方向相对移动；以及

曝光控制部，其对所述光调制元件阵列和所述扫描部进行控制，以在主扫描方向上以规定的曝光间隔对所述曝光对象物进行多重曝光，

所述曝光控制部通过多次扫描而多次对规定的曝光对象部位进行多重曝光。

9.一种曝光方法，

使将多个光调制元件二维排列而得到的光调制元件阵列的曝光区相对于在表面形成有光致抗蚀剂层的曝光对象物沿着主扫描方向相对移动，

对所述光调制元件阵列和所述扫描部进行控制，以在主扫描方向上以规定的曝光间隔对所述曝光对象物进行多重曝光，

其特征在于，

按照规定的时间间隔对规定的曝光对象部位重复进行基于1次扫描的多重曝光。

10.根据权利要求9所述的曝光方法，其特征在于，

隔开规定的时间间隔而多次进行未完成多重曝光，该未完成多重曝光是指在1次扫描中累积曝光量不超过所述光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂的曝光感光度。

11.一种基板，其通过权利要求9或10所述的曝光方法而在表面上的光致抗蚀剂层形成有图案，其特征在于，

所述光致抗蚀剂层在其截面上在沿着表面的方向上形成有条纹图案。

12.根据权利要求11所述的基板，其特征在于，

与所述光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂的曝光感光度对应的所需曝光能量为300mJ/cm²以上。