[发明专利]光掩模坯料、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法

说明书

本发明的课题在于，提供一种在对相移膜进行湿法蚀刻时可以缩短过刻蚀时间、抑制基板的损伤、可以形成具有良好的截面形状、LER、且耐化学品性也良好的转印图案的光掩模坯料。所述光掩模坯料是用于形成光掩模的原版，光掩模在透明基板上具有通过对相移膜进行湿法蚀刻而得到的相移膜图案，相移膜由单层或多层构成，并且相对于整体膜厚的50％以上且100％以下包含由含有钼、锆、硅及氮的材料形成的MoZrSi系材料层，MoZrSi系材料层中的钼与锆的原子比率为Mo：Zr＝1.5:1～1:4，硅相对于钼、锆及硅的合计的含有比率为70～88原子％。

技术领域

本发明涉及光掩模坯料、光掩模的制造方法及显示装置的制造方法。

背景技术

近年来，对于以LCD(液晶显示器，Liquid Crystal Display)为代表的FPD(平板显示器，Flat Panel Display)等显示装置而言，不仅正在快速进行大画面化、宽视角化，而且正在快速进行高精细化、高速显示化。为了该高精细化、高速显示化，需要的要素之一是制作微细且尺寸精度高的元件、布线等电子电路图案。该显示装置用电子电路的图案化大多使用光刻法。因此，需要形成有微细且高精度图案的显示装置制造用的相移掩模、二元掩模这样的光掩模。

例如，专利文献1中公开了在透明基板上具备相位反转膜的相位反转掩模坯料。在该掩模坯料中，相位反转膜由包含氧(O)、氮(N)、碳(C)中的至少1种轻元素物质的金属硅化物化合物所形成的2层以上的多层膜构成，并使得其对包含i线(365nm)、h线(405nm)、g线(436nm)的复合波长的曝光光具有35％以下的反射率及1％～40％的透射率，并且在形成图案时急剧地形成图案截面的梯度，金属硅化物化合物是以包含上述轻元素物质的反应性气体与非活性气体为0.5:9.5～4:6的比率注入而形成的。

作为上述金属硅化物化合物，记载了以下的材料，其在铝(Al)、钴(Co)、钨(W)、钼(Mo)、钒(V)、钯(Pd)、钛(Ti)、白金(Pt)、锰(Mn)、铁(Fe)、镍(Ni)、镉(Cd)、锆(Zr)、镁(Mg)、锂(Li)、硒(Se)、铜(Cu)、钇(Y)、硫(S)、铟(In)、锡(Sn)、硼(B)、铍(Be)、钠(Na)、钽(Ta)、铪(Hf)、铌(Nb)中的至少任一种以上金属物质中含有硅(Si)而成，或者由在上述金属硅化物中进一步含有氮(N)、氧(O)、碳(C)、硼(B)、氢(H)中的一种以上轻元素物质的化合物而形成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：韩国授权专利第1801101号公报

专利文献2：日本专利第3988041号公报

发明内容

发明所要解决的问题

作为近年在高精细(1000ppi以上)的面板制作中使用的相移掩模，为了能够转印高分辨率的图案，要求形成有孔径为6μm以下、线宽为4μm以下的微细相移膜图案的相移掩模。具体而言，要求形成有孔径为1.5μm的微细相移膜图案的相移掩模。

另外，为了实现更高分辨率的图案转印，要求具有对曝光光的透射率为15％以上的相移膜的相移掩模坯料、以及形成有对曝光光的透射率为15％以上的相移膜图案的相移掩模。

为了满足对曝光光的透射率的要求，提高构成相移膜的金属硅化物化合物(金属硅化物系材料)中金属与硅的原子比率中的硅的比率是有效的，但存在湿法蚀刻速度大幅延迟(湿法蚀刻时间长)、发生湿法蚀刻液对基板的损伤、透明基板的透射率降低等问题。