[发明专利]电平移位器装置和用于转换信号电压的方法在审
| 申请号： | 202110265676.3 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113395065A | 公开（公告）日： | 2021-09-14 |
| 发明（设计）人： | 莱昂纳多·卡斯特罗;赖纳·巴滕施拉格 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H03K19/0185 | 分类号： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;陈炜 |
| 地址： | 德国瑙伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电平 移位 装置 用于 转换 信号 电压 方法 | ||
1.一种电平移位器装置，包括：
第一级电平移位器，所述第一级电平移位器被配置成将来自连接至存储装置的至少一个存储单元的位线的输入信号转换成第一输出信号，所述第一输出信号具有在VPS控制电压与地之间、或在VDD电源电压与VNS控制电压之间的电压；以及
第二级电平移位器，所述第二级电平移位器被布置在所述第一级电平移位器之后并且被配置成将所述第一输出信号转换成第二输出信号，所述第二输出信号具有在地与所述VDD电源电压之间的电压。
2.根据权利要求1所述的电平移位器装置，其中，所述电平移位器装置是被配置成确定所述存储装置中的存储单元的状态的感测放大器的一部分。
3.根据权利要求1所述的电平移位器装置，其中，所述第一级电平移位器包括第一晶体管和第一器件，其中，所述第一晶体管的栅极连接至所述输入信号，其中，所述第一器件连接至第一信号，所述第一信号在被设置成第一值时允许将所述第一输出信号预充电到地，其中，所述第一晶体管与所述第一器件之间的第一节点供应所述第一输出信号，并且其中，所述第一晶体管与所述第一器件的串联连接被连接在所述VPS控制电压与地之间。
4.根据权利要求3所述的电平移位器装置，其中，所述第一晶体管包括PMOS晶体管，并且所述第一器件包括NMOS晶体管。
5.根据权利要求3所述的电平移位器装置，其中，所述第二级电平移位器包括第二晶体管和第二器件，其中，所述第二晶体管的栅极连接至所述第一输出信号，并且所述第二器件连接至第二信号，所述第二信号在被设置成第二值时允许将所述第二输出信号预充电到所述VDD电源电压，其中，所述第二晶体管与所述第二器件之间的第二节点供应所述第二输出信号，并且其中，所述第二晶体管与所述第二器件的串联连接被连接在所述VDD电源电压与地之间。
6.根据权利要求5所述的电平移位器装置，其中，所述第二晶体管包括NMOS晶体管，并且所述第二器件包括PMOS晶体管。
7.根据权利要求1所述的电平移位器装置，其中，所述第一级电平移位器包括第一晶体管和第一器件，其中，所述第一晶体管的栅极连接至所述输入信号，其中，所述第一器件连接至第一信号，所述第一信号在被设置成第一值时允许将所述第一输出信号预充电到所述VDD电源电压，其中，所述第一晶体管与所述第一器件之间的第一节点供应所述第一输出信号，并且其中，所述第一晶体管与所述第一器件的串联连接被连接在所述VDD电源电压与所述VNS控制电压之间。
8.根据权利要求7所述的电平移位器装置，其中，所述第一晶体管包括NMOS晶体管，并且所述第一器件包括PMOS晶体管。
9.根据权利要求7所述的电平移位器装置，其中，所述第二级电平移位器包括第二晶体管和第二器件，其中，所述第二晶体管的栅极连接至所述第一输出信号，并且所述第二器件连接至第二信号，所述第二信号在被设置成第二值时允许将所述第二输出信号预充电到所述VDD电源电压，其中，所述第二晶体管与所述第二器件之间的第二节点供应所述第二输出信号，并且其中，所述第二晶体管与所述第二器件的串联连接被连接在所述VDD电源电压与地之间。
10.根据权利要求9所述的电平移位器装置，其中，所述第二晶体管包括PMOS晶体管，并且所述第二器件包括NMOS晶体管。
11.根据权利要求1所述的电平移位器装置，其中，所述存储装置包括随机存取存储器器件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司，未经英飞凌科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110265676.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
