[发明专利]一种阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 202110266480.6 | 申请日： | 2021-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN112909167B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 高建峰;项金娟;刘卫兵;杨涛;李俊峰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20 |
| 代理公司： | 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 | 代理人： | 马东伟 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 存储器 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种阻变存储器，其特征在于，包括依次设置的底电极、阻变层、插入层、Ti薄膜和顶电极；
所述插入层形成一个阻变层氧空位向Ti薄膜扩散的势垒层；
所述插入层用于控制氧空位在阻变层中的产生和复合，降低对Ti薄膜厚度精确度的要求；
所述底电极为TaN或TiN；
所述阻变层为HfO2或HfO2基掺杂材料，阻变层厚度为3-10nm；
所述Ti薄膜的厚度为3-15nm；
所述顶电极为TaN或TiN；
所述插入层为TaN或TiN，厚度为0.5-2nm。
2.根据权利要求1所述的阻变存储器，其特征在于，所述底电极的厚度为10-100nm。
3.根据权利要求1或2所述的阻变存储器，其特征在于，所述顶电极的厚度为10-100nm。
4.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
制备底电极；
在所述底电极上沉积阻变层；所述阻变层为HfO2或HfO2基掺杂材料，阻变层厚度为3-10nm；
在所述阻变层上沉积插入层；所述插入层为TaN或TiN，厚度为0.5-2nm；
在所述插入层上沉积Ti薄膜；所述Ti薄膜的厚度为3-15nm；
在所述Ti薄膜上制备顶电极；
所述底电极和顶电极材料为TaN或TiN。
5.根据权利要求4所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，所述底电极和顶电极的厚度为10-100nm。
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