[发明专利]一种Sn-Se系列超晶格相变存储材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110267081.1 | 申请日： | 2021-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN113078261B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 王嘉赋;袁宇辉;余念念;孙志刚 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;C23C14/06;C23C14/35 |
| 代理公司： | 武汉智嘉联合知识产权代理事务所(普通合伙) 42231 | 代理人： | 陈建军 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 sn se 系列 晶格 相变 存储 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种Sn-Se系列超晶格相变存储材料，其特征在于，其由单层SnSe薄膜和单层SnSe2薄膜交替堆叠成超晶格薄膜结构；所述单层SnSe薄膜的厚度为1~4nm，所述单层SnSe2薄膜的厚度为1~4nm，所述Sn-Se系列超晶格相变存储材料的总厚度为48nm。
2.根据权利要求1所述Sn-Se系列超晶格相变存储材料，其特征在于，每个周期内所述单层SnSe薄膜和所述单层SnSe2薄膜的厚度相同。
3.根据权利要求1所述Sn-Se系列超晶格相变存储材料，其特征在于，每个周期内所述单层SnSe薄膜和所述单层SnSe2薄膜的厚度均为4nm，薄膜的总周期数为6。
4.一种如权利要求1~3中任一项所述Sn-Se系列超晶格相变存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：采用磁控溅射的方法，以SnSe和SnSe2为靶材，在衬底上交替沉积单层SnSe薄膜和单层SnSe2薄膜，得到Sn-Se系列超晶格相变存储材料。
5.根据权利要求4所述Sn-Se系列超晶格相变存储材料的制备方法，其特征在于，所述磁控溅射的方法为：将衬底置于磁控溅射真空室中，以SnSe和SnSe2为靶材，通入氩气，对SnSe和SnSe2交替进行直流磁控溅射。
6.根据权利要求4所述Sn-Se系列超晶格相变存储材料的制备方法，其特征在于，所述衬底为硅基片，且硅基片总厚度为400~500nm，氧化层厚度为200~300nm。
7.根据权利要求5所述Sn-Se系列超晶格相变存储材料的制备方法，其特征在于，所述真空室的真空度低于3х10-4pa，氩气流速为30~60sccm，工作氩气压为2~3pa，靶基距为5~20cm。
8.根据权利要求4所述Sn-Se系列超晶格相变存储材料的制备方法，其特征在于，对所述SnSe和SnSe2交替进行直流磁控溅射的过程中，工作电流为10~30mA，成膜速率为0.8~1.5Å/s。
9.根据权利要求4所述Sn-Se系列超晶格相变存储材料的制备方法，其特征在于，对所述SnSe和SnSe2交替进行直流磁控溅射前，还包括预溅射。
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