[发明专利]叠片状高密度类球形羟基氧化钴前驱体及其制备方法有效
申请号: | 202110267187.1 | 申请日: | 2021-03-11 |
公开(公告)号: | CN112645392B | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 吴泽盈;张海艳;胡志兵;孟立君;曾永详;熊意球;何绪锋;朱璟;苏帅;刘宙 | 申请(专利权)人: | 金驰能源材料有限公司;湖南长远锂科股份有限公司 |
主分类号: | C01G51/00 | 分类号: | C01G51/00;C01G51/04;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京天盾知识产权代理有限公司 11421 | 代理人: | 李琼芳;肖小龙 |
地址: | 410203 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 片状 高密度 球形 羟基 氧化钴 前驱 及其 制备 方法 | ||
1.一种叠片状高密度类球形羟基氧化钴的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
(1)配制钴盐溶液,并在钴盐溶液中添加一定量的络合剂,得到混合溶液A;配制碱溶液B;所述混合溶液A中钴离子浓度为1.8~2.5mol/L,络合剂浓度为0.3~2.2g/L;
(2)向反应釜中加入纯水,控制纯水温度为65-80℃,用碱溶液B调节pH值至10.70~11.40,并向反应釜中通入氧化性气体;
(3)在步骤(2)的基础上,将混合溶液A、碱溶液B、氧化性气体并流通入到反应釜中;反应过程分为成核阶段和生长阶段,根据前驱体一次颗粒尺寸需求,确定成核和生长阶段的切换点,并调整反应条件:生长阶段的反应温度高于成核阶段的反应温度,生长阶段的反应pH值高于成核阶段的反应pH值,生长阶段的搅拌转速高于成核阶段的搅拌转速,生长阶段混合溶液A的进料流量低于成核阶段混合溶液A的进料流量,生长阶段氧化性气体流量低于成核阶段氧化性气体流量;
所述成核阶段的反应温度为65-70℃,pH值为10.7-11.0,搅拌转速为500-580r/min,混合溶液A的进料流量为3.5-5L/h,氧化性气体流量为120-200L/h;所述生长阶段的反应温度为70-80℃,pH值为11.0-11.4,搅拌转速为580-650r/min,混合溶液A的进料流量为1.5-3.5L/h,氧化性气体流量为20-120L/h;
反应釜中物料的平均粒度生长至3.0~7.0μm,停止进料,获得反应浆液;
(4)将步骤(3)中的反应浆液进行固液分离,收集固相进行陈化、洗涤、脱水、干燥、筛分处理,即得到叠片状高密度类球形羟基氧化钴;
所述叠片状高密度类球形羟基氧化钴的一次颗粒形貌为叠片状,一次颗粒的宽度为10~900nm,长度为0.1 μm ~2.5μm;二次颗粒由叠片状的一次颗粒紧密插嵌排列而成;振实密度为2.3~2.8g/cm3,平均粒度为3.0~7.0μm。
2.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述钴盐选自CoSO4、CoCl2或 Co(NO3)2的一种或两种以上;所述碱溶液B的浓度为4-10mol/L,所述的碱为氢氧化钠或氢氧化钾。
3.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,混合溶液A为在钴盐溶液中添加一定量的络合剂、在转速100-500r/min下搅拌反应0.5-2h制备而成。
4.如权利要求1或3所述的制备方法,其特征在于,步骤(1)所述的络合剂为乙二胺四乙酸二钠、乙二胺四乙酸和氨基酸中的一种或多种。
5.如权利要求1或3所述的制备方法,其特征在于混合溶液A中络合剂与钴盐的质量比为1:(100~300)。
6.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述的氧化性气体为空气和/或氧气,通入气体的流量为20~100L/h,通入时间为0.5~5h。
7.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)所述的陈化工艺为采用5wt%~15wt%的氢氧化钠溶液对固体物料进行陈化处理,陈化反应温度为50℃~80℃,陈化反应时间为20min~60 min。
8.如权利要求1所述的制备方法,其特征在于,步骤(4)所述的洗涤是在常温下采用去离子水进行洗涤,且洗涤至物料pH值为8.0~10.0,所述的干燥在130~200℃温度下进行。
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