[发明专利]基于可重构哈达玛矩阵的双波束扫描阵列天线

权利要求书

1.一种基于可重构哈达玛矩阵的双波束扫描阵列天线，其特征在于，包括可重构哈达玛矩阵电路和阵列天线；

所述可重构哈达玛矩阵电路包括第一同反相耦合器、第二同反相耦合器、第三同反相耦合器、第一开关、第二开关；所述第一同反相耦合器、第二同反相耦合器、第三同反相耦合器分别包括一个同相输入端、一个反相输入端和两个输出端；

所述第一同反相耦合器还包括一个偏置电压端，所述偏置电压端用于获取偏置电压，所述可重构哈达玛矩阵用于根据所述偏置电压的正负性工作在相应的工作状态；

所述第一开关用于将所述第一同反相耦合器的一个输出端与所述的第二同反相耦合器的同相输入端连接，或者切换至将所述第一同反相耦合器的一个输出端与所述的第二同反相耦合器的反相输入端连接；所述第二开关用于将所述第一同反相耦合器的另一个输出端与所述的第三同反相耦合器的同相输入端连接，或者切换至将所述第一同反相耦合器的另一个输出端与所述的第三同反相耦合器的反相输入端连接；

所述阵列天线包括第一天线单元、第二天线单元、第三天线单元、第四天线单元；所述第一天线单元与所述第二同反相耦合器的一个输出端连接，所述第二天线单元与所述第二同反相耦合器的另一个输出端连接，所述第三天线单元与所述第三同反相耦合器的一个输出端连接，所述第四天线单元与所述第三同反相耦合器的另一个输出端连接;

所述基于可重构哈达玛矩阵的双波束扫描阵列天线还包括第一介质基板和第二介质基板；

所述第一介质基板和所述第二介质基板分别包括上表面和下表面；

所述可重构哈达玛矩阵电路是以微带工艺在所述第一介质基板的上表面制作的，所述阵列天线是以微带工艺在所述第二介质基板的上表面和下表面制作的；

所述基于可重构哈达玛矩阵的双波束扫描阵列天线还包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容；

所述第一介质基板的上表面设置第一端口、第二端口、第三端口、第四端口、第五端口、第六端口；

所述第一同反相耦合器的同相输入端通过所述第一电容与所述第一端口连接；

所述第一同反相耦合器的反相输入端通过所述第二电容与所述第二端口连接；

所述第二同反相耦合器的一个输出端通过所述第三电容与所述第三端口连接；

所述第二同反相耦合器的另一个输出端通过所述第四电容与所述第四端口连接；

所述第三同反相耦合器的一个输出端通过所述第五电容与所述第五端口连接；

所述第三同反相耦合器的另一个输出端通过所述第六电容与所述第六端口连接。

2.根据权利要求1所述的基于可重构哈达玛矩阵的双波束扫描阵列天线，其特征在于，所述基于可重构哈达玛矩阵的双波束扫描阵列天线还包括第一电感、第二电感、第三电感；

所述第一介质基板的下表面设有金属地；

所述第一介质基板设有第一金属化过孔和第二金属化过孔，所述第一金属化过孔的一端和所述第二金属化过孔的一端与所述第一介质基板的金属地连接；

所述第一同方向耦合器通过所述第一电感与所述偏置电压端连接；

所述第二同反相耦合器通过所述第二电感与所述第一金属化过孔的另一端连接；

所述第三同反相耦合器通过所述第三电感与所述第二金属化过孔的另一端连接。

3.根据权利要求1-2任一项所述的基于可重构哈达玛矩阵的双波束扫描阵列天线，其特征在于，所述第一介质基板、所述第二介质基板均采用厚度为0.813mm、介电常数为3.38的Rogers RT/Duroid 4003材料制造得到。