[发明专利]用于高功率密度降压型开关变换器的开关电流积分器

权利要求书

1.用于高功率密度降压型开关变换器的开关电流积分器，包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第一传输门，第二传输门、第三传输门、第四传输门、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三NMOS管、第十四NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管和电流源；

第一PMOS管的源极连接电源VDD，其栅极连接第四PMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极、第七PMOS管的栅极、第九PMOS管的栅极、第十一PMOS管的栅极、第十三PMOS管的栅极和第十五PMOS管的栅极，第一PMOS管的漏极连接第二NMOS管的漏极；

第二PMOS管的源极连接电源VDD，其栅极连接第三PMOS管的栅极、第四PMOS管的漏极、第一传输门的一端和电流源I_FB，第二PMOS管的漏极连接第四PMOS管的源极；

第三PMOS管的源极连接电源VDD，其漏极连接第五PMOS管的源极；

第一电容的一端连接电源VDD，第一电容的另一端连接第一传输门的另一端和第六PMOS管的栅极；

第六PMOS管的源极连接电源VDD，其漏极连接第七PMOS管的源极；

第八PMOS管的源极连接电源VDD，其栅极连接第三电容的一端和第三传输门的一端，第八PMOS管的漏极连接第九PMOS管的源极；

第三电容的另一端连接电源VDD；

第十PMOS管的源极连接电源VDD，其栅极连接第三传输门的另一端、第十一PMOS管的漏极和第十一NMOS管的漏极，第十PMOS管的漏极连接第十一PMOS管的源极；

第十二PMOS管的源极连接电源VDD，其栅极连接第十四PMOS管的栅极、第十三PMOS管的漏极和第十三NMOS管的漏极，第十二PMOS管的漏极连接第十三PMOS管的源极；

第十四PMOS管的源极连接电源VDD，其漏极连接第十五PMOS管的源极；

第五PMOS管的漏极连接第五NMOS管的漏极、第七PMOS管的漏极、第七NMOS管的漏极、第九PMOS管的漏极、第九NMOS管的漏极、第十NMOS管的栅极、第四传输门的一端和第十四NMOS管的栅极；

第一NMOS管的栅极、漏极连接第二NMOS管的栅极、第三NMOS管的栅极、第五NMOS管的栅极、第七NMOS管的栅极、第九NMOS管的栅极、第十一NMOS管的栅极、第十三NMOS管的栅极和电流源I_BIAS，第一NMOS管的源极连接地VSS；

第二NMOS管的源极连接地VSS；

第三NMOS管的漏极连接第四NMOS管的栅极、第六NMOS管的栅极、第二传输门的一端和电流源I_REF，第三NMOS管的源极连接第四NMOS管的漏极；

第五NMOS管源极连接第六NMOS管的漏极；

第七NMOS管的源极连接第八NMOS管的漏极；

第九NMOS管的源极连接第十NMOS管的漏极；

第十一NMOS管的源极连接第十二NMOS管的漏极；

第十三NMOS管的源极连接第十四NMOS管的漏极；

第四NMOS管的源极连接地VSS；

第六NMOS管的源极连接地VSS；

第八NMOS管的栅极连接第二电容的一端和第二传输门的另一端，其源极连接地VSS；

第二电容的另一端连接地VSS；

第十NMOS管的源极连接地VSS；

第十二NMOS管的栅极连接第四电容的一端和第四传输门的另一端，其源极连接地VSS；

第四电容的另一端连接地VSS；

第十四NMOS管的源极连接地VSS；

第十五PMOS管的漏极输出开关电流。